Cтраница 5
Из рисунка ясно, что данный транзистор можно заменить эквивалентной схемой, приведенной на рис. 4.6, где помимо основного транзистора имеется паразитный р - п - р-транзистор. [61]
На базу Тп относительно его эмиттера поступает по ложительное напряжение, поэтому паразитный транзистор оказывается закрытым. Однако и в закрытом состоянии в его цепях протекают токи утечки / КБОП и / ЭБОП, влияющие на работу основного транзистора. [62]
На базу Тп относительно его эмиттера поступает по ложительное напряжение, поэтому паразитный транзистор оказывается закрытым. Однако и в закрытом состоянии в его цепях протекают токи утечки / КБОП и / эвоп, влияющие на работу основного транзистора. [63]
Базовый элемент семейства ЭСЛ имеет упрощенную схему, приведенную на рис. 20.2, в. Как видно из схемы, транзисторы VTi, VT2 и VT3 образуют дифференциальный усилитель, который может использоваться в качестве переключателя токов основных транзисторов VTi либо VT2 и вспомогательного транзистора УТЪ. Нагрузочные сопротивления R2 и R3 выбирают низкоомными, чтобы предотвратить насыщение открытого транзистора. [64]
Базовый элемент семейства ЭСЛ имеет упрощенную схему, приведенную на рис. 20.2, в. Как видно из схемы, транзисторы VTl, VT2 и УТг образуют дифференциальный усилитель, который может использоваться в качестве переключателя токов основных транзисторов УТг либо VT2 и вспомогательного транзистора УТг. Нагрузочные сопротивления R2 и R3 выбирают низкоомными, чтобы предотвратить насыщение открытого транзистора. [65]
В интегральной электронике наибольшее распространение получил способ изоляции компонентов друг от друга при их расположении на единой подложке с помощью обратносмещенного р - - перехода. Влияние изолирующего перехода обусловливается не только его емкостью, но и образованием в полупроводниковой п-р-п-р - структуре кроме основного п-о - - - транзистор а еще и р-п-р-паразитного, который оказывается в активной области работы при прямом смещении коллекторного перехода основного транзистора. [66]