Основной транзистор
Cтраница 4
Основные транзисторы Т1 и Т2 включены последовательно, транзистор Т3 выполняет роль нагрузки. Таким образом, элемент выполняет логическую функцию И-НЕ. [46]
 |
Пример эквивалентных схем элементов полупроводниковых интегральных схем. [47] |
На рисунке схематически показана одна из возможных пленарных структур МЭТ и его упрощенная эквивалентная схема. Последняя помимо основного транзистора включает в себя паразитные транзисторы эмиттер - база - эмиттер. Степень влияния паразитных транзисторов зависит от взаимного расположения эмиттеров и физических параметров транзистора в целом. При разработке транзистора стремятся по возможности сократить коэффициенты передачи паразитных транзисторов, чтобы свести их влияние к минимуму. [48]
Схема включения паразитного транзистора представлена на рис. 3.3. Его коллекторный ( изолирующий) переход всегда смещен в обратном направлении. Активному режиму основного транзистора VTOCH соответствует режим отсечки паразитного транзистора VTnap. В этом случае его влияние невелико, так как токи утечки р-п переходов при обратных напряжениях малы. Режиму насыщения VTOCH соответствует активный режим работы VTnap. При этом ток утечки / ут возрастает, что приводит к уменьшению базового тока основного транзистора: / Б / Б - / ут. Скрытый слой в коллекторе создает тормозящее электрическое поле для дырок, инжектированных в коллектор из базы. [49]
 |
Семейство статических выходных вольт-амперных характеристик. [50] |
В случае применения метода эквивалентных схем основные транзисторы усилительного каскада с динамической нагрузкой ( см. рис. 4.44) VT1 и VT3 заменяются эквивалентными схемами для / г-па-раметров. [51]
В структуре транзистора, изолированного р-п переходом, помимо основного п-р - п существует паразитный р-п - р транзистор. Его эмиттер - базовый слой 5 ( 13) основного транзистора ( см. рис. 3.1), база - коллекторная область 2 со скрытым слоем 3, а коллектор - подложка. [52]
Полупроводниковая интегральная схема имеет общую подложку из кремния р-типа. Паразитный транзистор является по отношению к основному дополняющим, причем база основного транзистора служит эмиттером паразитного, коллектор основного транзистора - базой паразитного, а подложка - коллектором паразитного. [53]
 |
БО. Транзистор полупроводниковой ИС с изолирующим р-п переходом.| Эквивалентная схема МДП транзистора. [54] |
При отсутствии отрицательного смещения на изолирующем переходе паразитный транзистор работает в режиме инверсной инжекции. Это вызывает увеличение заряда, накапливаемого коллектором, и увеличение времени запирания основного транзистора. При отрицательном смещении на изолирующем переходе время запирания основного транзистора уменьшается за счет коллектирования переходом коллектор - подложка части заряда, накопленного в коллекторной области. [55]
Это особенно целесообразно в интегральных схемах, так как исключает дополнительные стадии технологического процесса, необходимые для получения резисторов. Для нормальной работы логической схемы проводимость такого МДП-транзистора должна быть значительно меньше проводимости основного транзистора в открытом состоянии. Транзистор VT2 обычно работает в режиме обогащения. Поэтому его сопротивление в процессе работы остается практически неизменным. [56]
Для уменьшения величины паразитной емкости, которая убывает с ростом обратного напряжения, и обеспечения обратного смещения изолирующего / - / г-перехода на подложку р-типа должно подаваться наибольшее отрицательное напряжение. Паразитная емкость между коллектором и подложкой и объ емное сопротивление коллектора ухудшают частотные свойства основного транзистора. [57]
Полупроводниковая интегральная схема имеет общую подложку из кремния р-типа. Паразитный транзистор является по отношению к основному дополняющим, причем база основного транзистора служит эмиттером паразитного, коллектор основного транзистора - базой паразитного, а подложка - коллектором паразитного. [58]
Мощность синхронизирующих отпирающих импульсов и установленная мощность дополнительных транзисторов могут быть резко снижены, если последние использовать либо как элемент составного транзистора, либо подключить их параллельно переходу эмиттер-база основного транзистора. В последнем случае ( пунктир на рис. 47 0) переброс генератора происходит вследствие выхода в активную область открытого основного транзистора ( 2Т), что вызвано уменьшением его базового тока при открывании дополнительного транзистора ( 4Т), шунтирующего входную цепь основного транзистора. [59]
 |
Структура транзистора в интегральной схеме с изолирующими р-п-переходами.| Эквивалентная схема транзистора. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5