Биполярный транзистор

Cтраница 1

Биполярные транзисторы без искажений усиливают сигналы не более 20 мВ, поэтому требования к цепи АРУ в транзисторных приемниках сравнительно жестки. Применение простых цепей АРУ возможно только в приемниках невысокого класса, тем более что в них, как правило, применяются преобразователи частоты по совмещенной схеме, подведение напряжения АРУ к которым исключается из-за нарушения режима работы гетеродина. В таких приемниках регулировкой обычно охватывается только первый каскад УПЧ. [1]

Эквивалентная схема р-и-перехода с учетом шумов при-прямом ( а и обратном ( б смещении. [2]

Биполярные транзисторы работают на основе использования носителей обоих знаков - - электронов и дырок, вследствие чего они и получили такое название. Транзистор типа р-п - р ( рис. 3.1 а) состоит из двух р-я-пе-реходо ( В с общей базовой областью. Один р - - переход включается в лрямом направлении и инжектирует в базу дырки, он называется эмиттером, второй называется: коллектором, так как он включается в обратном направлении и собирает инжектированные эмиттером дырки. [3]

Биполярные транзисторы, рассмотренные нами в разделе 3.2, и МОП-транзисторы, описанные в разделе 3.3, являются основными функциональными элементами кремниевых СБИС. Для повышения быстродействия БИС в настоящее время ведутся исследования и разработки по созданию интегральных схем на основе полупроводниковых химических соединений. Эти исследования находятся пока в стадии опытного производства в лабораторных условиях. МОП-транзисторы в БИС на GaAs практически не используются, так как на поверхности кристалла GaAs трудно сформировать изоляционный слой с хорошими электрофизическими параметрами. Кроме ЗШП-транзисторов в схемах на GaAs используют также полевые транзисторы, у которых затвором служит pn - переход. Технология изготовления ЗШП-транзисторов очень проста. Поэтому такие приборы обладают высокой надежностью при низком уровне шума, и их используют в качестве усилительных СВЧ-эле-ментов в очень широком частотном диапазоне, не достижимом для кремниевых биполярных транзисторов. [4]

Биполярный транзистор широко используют в электронных устройствах в качестве ключа - элемента радиоэлектронной аппаратуры, функцией которого является замыкание и размыкание электрической цепи. Имея малое сопротивление во включенном состоянии и большое сопротивление - в выключенном, биполярный транзистор достаточно полно удовлетворяет требованиям, предъявляемым к ключевым элементам. Специально предназначенные для работы в ключевом режиме транзисторы называют ключевыми. [5]

Биполярный транзистор является наиболее распространенным активным элементом в современных интегральных микросхемах. [6]

Структура биполярного транзистора со скрытым я - слоем ( а и конфигурация электродов этого транзистора ( б. [7]

Биполярный транзистор, особенно в логических интегральных микросхемах, часто выполняет функцию переключающего элемента. При этом он работает не только в активном режиме, но и в режимах насыщения и отсечки. [8]

Биполярные транзисторы как управляемые сопротивления используются сравнительно редко, поскольку более практично применение полевых транзисторов, у которых при небольших напряжениях сток-исток проводящий канал можно рассматривать как ре-вистор, сечение которого зависит от напряжения затвор-исток. [9]

Биполярные транзисторы являются активными полупроводниковыми приборами, обеспечивающими усиление мощности электрических сигналов. По структуре биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор с тремя чередующимися слоями полупроводников с. [10]

Нелинейная модель биполярного транзистора. [11]

Биполярный транзистор представляет собой систему из двух электронно-дырочных переходов, связанных друг с другом через область базы. [12]

Биполярные транзисторы являются наиболее распространенными. [13]

Биполярные транзисторы полупроводниковых ИМС с изоляцией р-я-переходом представляют собой четырехслойную структуру с тремя p - n - переходами, один из которых - изолирующий. Наличие этого перехода приводит к появлению паразитных элементов и ухудшает параметры интегральных транзисторов по сравнению с дискретными. [14]

Биполярные транзисторы в резонансных усилителях мощности работают при относительно низких рабочих напряжениях, не превышающих сотен вольт, но при больших токах, измеряемых амперами. С ростом тока уменьшаются входное и выходное сопротивления транзистора. Поэтому в транзисторных схемах усилителей мощности часто используются согласующие П - образные контуры, применение которых позволяет также улучшить фильтрацию высших гармоник. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5