Биполярный транзистор

Cтраница 2

Схематическое представление рпр-транзистора. р-область получается сплавлением металла, содержащего примеси р-типа, с пластинкой кремния я-типа. [16]

Биполярный транзистор ( рис. 27 - 3) состоит из кремниевой пластинки, содержащей две зоны р-типа, разделенных тонким слоем материала / г-типа; при этом образуются два перехода, каждый из которых обладает свойствами диодов, описанными выше. При работе транзистора переход между одной р-зоной, называемой эммиттером, и / г-слоем, называемым базой, имеет небольшое прямое смещение, тогда как переход база-коллектор ( коллектор - это вторая р-зона) имеет обратное смещение. Ток может протекать через переход эмиттер - база. Область базы, будучи тонкой и слаболегированной, бедна электронами. Поэтому большинство дырок с эмиттера диффундируют через нее, так как они имеют большую вероятность быть собранными большим коллекторным переходом, чем рекомбинировать с электронами базы. Отношение коллекторного тока к току базы / к / / Б определяется исключительно геометрией системы. Величины этих токов, однако, определяются напряжением между базой и эмиттером, так как увеличение положительного потенциала базы облегчает проникновение дырок в коллектор. Это и есть источник усилительной способности транзистора. [17]

Некоторые схемы инжекции. [18]

Биполярные транзисторы изготовляют так, чтобы концентрация электронов в эмиттере значительно превышала концентрацию дырок в базе. [19]

Биполярные транзисторы применяют в самых разнообразных радиоэлектронных устройствах - усилителях и генераторах, переключательных, импульсных, логических схемах и схемах автоматики, приемниках, передатчиках и др. Однако почти во всех схемах и устройствах главное назначение транзистора - усиление сигнала. [20]

Биполярные транзисторы, в которых перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством диффузии, называют бездрейфовыми. [21]

Структура транзистора изготовления коллектора И диода, с переходом Шоттки шунтирующего переход коллектор. [22]

Биполярный транзистор с переходом Шоттки в качестве коллектора имеет малое время восстановления и может использоваться для усиления импульсного напряжения. [23]

Биполярный транзистор описан в ППП в соответствии с моделью Эберса - Молла. Модель описывается 15 параметрами: IS - сила тока насыщения эмиттерного перехода; VT - тепловой потенциал перехода; N1 - сила тока насыщения коллекторного перехода; NV - постоянная эмиссии перехода база - коллектор; TF и TR - среднее время пролета носителей через базу при нормальном и инверсном включениях; СЕ и СС - барьерная емкость эмиттерного и коллекторного переходов; FI - контактная разность потенциалов; GA - показатель степени в выражении для барьерной емкости; GZ - выходная проводимость при нулевом смещении; NQ - коэффициент пропорциональности в выражении для выходной проводимости; AF и AR - коэффициенты усиления силы тока в нормальном и инверсном включениях; GS - максимальная проводимость перехода. [24]

Характеристики биполярного транзистора ( схема с общим. [25]

Биполярные транзисторы - полупроводниковые приборы, используемые для усиления сигналов. В зависимости от силы тока, проходящего через переход база - эмиттер, меняется сопротивление перехода коллектор т - эмиттер. [26]

Биполярный транзистор по эквивалентной схеме и по значениям одноименных параметров заметно отличается от полевого транзистора и лампы. [27]

Биполярный транзистор в определенном режиме является нелинейной системой, поэтому в соответствии е основами теории преобразования он может быть использован для преобразования частоты. [28]

Биполярные транзисторы являются усилительными устройствами, управляемыми током. [29]

Биполярный транзистор удобно описывать в системе / / - параметров четырехполюсника. При работе на низкой частоте или на постоянном токе Я-параметры транзистора оказываются вещественными. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5