Биполярный транзистор

Cтраница 3

Биполярный транзистор ( в дальнейшем обозначается просто транзистор) содержит два p - n - перехода, созданных в одном кристалле. Одна из крайних областей транзистора называется эмиттером, а прилегающий к ней р-п-переход - змиттерным. Противоположная крайняя область называется коллектором, а прилегающий к ней /) - / 1-переход - коллекторным. Центральная область называется базой. Эмиттер и коллектор - сравнительно низкоомные области по сравнению с базой, так как последняя имеет меньшую концентрацию примесных атомов. [31]

Осциллограмма сигнала на входе полевого транзистора ( частотомера [ IMAGE ] Осциллограмма сигнала на выходе операционного усилителя. [32]

Биполярный транзистор ВС107В выполняет функцию интегратора, и в цепь его коллектора включен стрелочный индикатор. [33]

Устройство транзистора, схема его включения в цепь усиления сигналов ( а и графики, поясняющие его работу ( б. [34]

Биполярные транзисторы различают по структуре ( р-п - р или п-р - п), по мощности ( малой, средней и большой), по рабочим частотам ( низкой, средней и высокой частоты) и по другим признакам. [35]

Биполярные транзисторы подразделяются на дрейфовые и бездрейфовые. [36]

Усилительный каскад ( а и его частотная характеристика ( б. [37]

Биполярные транзисторы имеют относительно малые входное и выходное сопротивления и значительную внутреннюю обратную связь. Для уменьшения шунтирования контура этими сопротивлениями и ослабления действия обратной связи применяют слабую связь с контуром со стороны УП и входа следующего каскада. [38]

Биполярный транзистор в отличие от лампы ( пентода) характеризуется малым входным сопротивлением, значительной внутренней обратной связью, большим разбросом параметров и зависимостью режима работы транзистора и его параметров от температуры. Эти особенности активного элемента необходимо учитывать при проектировании усилителей на биполярных транзисторах. [39]

Биполярный транзистор - универсальный полупроводниковый усилительный прибор, выполняющий те же функции, что и электронная лампа с управляющей сеткой. Крайние области называются соответственно коллектором и эмиттером. Если бы расстояние между коллекторным и эмиттерным переходами, зависящее от толщины базы ( w), было достаточно большим ( больше диффузионной длины неосновных носителей), то каждый из р - - переходов работал бы как независимый полупроводниковый диод. [40]

Распределение примеси в п-р - п транзисторе ИС с эпитаксиальным слоем. а. п - концентрация акцепторной примеси в подложке. Мд к - концентрация донорной примеси в коллекторной области. Na g - концентрация акцепторной примеси в базовой области. э - концентрация донорной примеси в эмиттерной области. W - ширина области базы. / - переход эмиттер-база. 2 - переход база-коллектор. 3 - переход коллектор-подложка. 4 - эпитаксиальный слой. 5 - подложка.| Конструкция п-р - п транзистора ИС. [41]

Биполярные транзисторы и диоды полупроводниковых ИС формируются в эпи-таксиальном слое монокристалла кремния. В этом же слое одновременно с транзисторами формируются резисторы и конденсаторы. [42]

Биполярные транзисторы и полевые транзисторы с изолированным затвором, работающие в режиме обогащения, требуют подачи напряжения ( тока) смещения в отпирающей полярности, ибо при t / 2ynp 0 они заперты и тока не проводят. И здесь происходит инверсия выходного сигнала f / BbIX относительно входного. [43]

Биполярный транзистор с изолированным затвором является прибором, работающим на неосновных носителях, и обладает меньшей проводимостью во включенном состоянии по сравнению с МОП-транзистором, В то же время он легко управляется, имеет широкую область безопасной работы, обладает устойчивостью к пиковым токовым нагрузкам. [44]

Биполярные транзисторы управляются током, вследствие чего они имеют малое входное сопротивление, что в ряде случаев является недостатком. Поэтому были разработаны специальные транзисторы с большим входным сопротивлением - полевые транзисторы. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5