Биполярный транзистор

Cтраница 5

Биполярные транзисторы, рассмотренные в § 1.4, 1.5, нашли чрезвычайно широкое применение в различных областях электронной техники. [61]

Биполярный транзистор - трехэлектродный полупроводниковый прибор, в котором на базовом кристалле размещены два р-га-пере-хода. Сечение транзистора типа п-р - п, показывающее чередование слоев с р - и n - проводимостью в различных участках полупроводника, показано на рис. 3.10. Каждый из / 9-п-переходов транзистора обладает свойствами обычного диода. [62]

Биполярный транзистор, назначением которого является усиление мощности электрических сигналов, представляет собой полупроводниковый прибор с тремя чередующимися слоями полупроводника разного механизма электропроводности. Условные обозначения транзисторов этих типов показаны соответственно на рис. 3.13 6, г. Внутреннюю область монокристалла транзистора, разделяющую р-п-пере-ходы, называют базой. Внешний слой монокристалла, предназначенный для инжектирования ( внедрения) носителей заряда в базу, называют эмиттером, а р-и - перехОД / 7Ь ПрИМЫКЗЮЩИИ к эмиттеру, - эмиттерным. Другой внешний слой, экстрактирую-щий ( вытягивающий) носители заряда из базы, называют коллектором, а p - n - переход П - коллекторным. [63]

Биполярный транзистор обладает свойством усиливать электрический входной сигнал, благодаря чему его можно использовать в качестве активного элемента. Под усилением сигнала обычно подразумевается усиление мощности полезного сигнала, которое можно наблюдать при изменении или тока, или напряжения, или того и другого. В зависимости от схемы включения ( ОБ, ОЭ, ОК) транзистор усиливает либо ток, либо напряжение, либо то и другое. [64]

Структура биполярного транзистора со скрытым п - слоем ( а и топология электродов этого транзистора. [65]

Биполярный транзистор является распространенным активным элементом в современных интегральных микросхемах. Структура биполярного транзистора в интегральных микросхемах ( интегрального транзистора) отличается от структуры дискретного транзистора изоляцией от подложки. Другая особенность связана с тем, что вывод от коллекторной области интегрального транзистора осуществляется на верхней поверхности кристалла. [66]

Биполярный транзистор в цифровых интегральнных микросхемах обычно выполняет функцию ключа и все время работает либо в режиме насыщения, либо в режиме отсечки. Процессы накопления неосновных носителей и их последующего рассасывания при переводе транзистора в режим отсечки или в выключенное состояние связаны с относительно медленным процессом диффузии неосновных носителей заряда. [67]

Страницы: 1 2 3 4 5