Обычный транзистор

Cтраница 1

Резистор, сформированный внутри изолированного островка интегральной схемы.| Диэлектрическая изоляция островков ( карманов монокристаллического кремния, в которых формируются элементы интегральной схемы. [1]

Обычный транзистор ( рис. 5.60, а) получают последовательным введением легирующих примесей через окно в двуокись кремния, причем благодаря дозированию времени фронт диффузии проникает на глубину, меньшую глубины островка. [2]

Обычным транзисторам присущи низкие ( но не нулевые) входные сопротивления, кроме случаев работы при очень малых токах. В первые годы появления транзисторных схем это свойство вместе с особенностями, связанными с тем, что транзистор управляется током, создало значительную трудность для инженеров, имевших ранее дело с вакуумными лампами. [3]

Для обычных транзисторов ( без нейтрализации) эта емкость зависит от сопротивления связи. [4]

У обычных транзисторов всегда а1, на их характеристиках падающих участков не возникает. [5]

Недостатком обычных транзисторов является сравнительно низкая величина входного сопротивления. Полевые транзисторы свободны от этого недостатка. Существует несколько разновидностей полевых транзисторов. Он представляет собой брусок германия с электронной проводимостью, к торцам которого приварены невыпрямляющие контакты: через один электроны поступают - исток, через другой электроны уходят - сток. Посередине бруска ( с одной или двух сторон, а в некоторых случаях в виде кольца) наплавляется слой индия, создающий область с дырочной проводимостью. Этот слой называется затвором. Между затвором и бруском германия образуется электронно-дырочный переход ( область перехода на рис. И. Тонкий слой электронного полупроводника между истоком и стоком, ограниченный электронно-дырочным переходом, называется каналом. Ширина канала зависит от напряжения на затворе. [6]

Коллектор обычного транзистора структуры р-п - р ( сток полевого транзистора с каналом р типа) должен получать of источника питания отрицательный потенциал по отношению к эмиттеру и базе ( в полевом транзисторе по отношению к истоку); в транзисторе структуры п-р - п или полевом транзисторе с каналом п типа полярность включения источника питания обратная. Неправильное подключение источника питания недопустимо, так как может привести к повреждению транзистора. [7]

Для обычного транзистора несимметричной конструкции недопускается взаимно менять выводы эмиттера и коллектора ( такое включение называют инверсным), так как резко снизятся коэффициенты аир. [8]

В обычном транзисторе ( например, типа р-п - р) эмиттер обладает значительно большей концентрацией носителей тока типа р, чем коллектор. Это качество, а также конструкция транзистора делают обычный эмиттер более эффективным, чем коллектор, источником неосновных носителей, инъектируемых в базовую область. [9]

Пример конструкции высокочастотного транзистора. [10]

В обычных транзисторах эмиттерная область сильно активирована и через нее идет ток со сравнительно низкой плотностью. [11]

Обедненные слои в транзисторе и потенциальная диаграмма. [12]

В базе обычного транзистора электрическое поле отсутствует, поэтому дальнейшее движение инжектированных дырок определяется процессом диффузии. [13]

Полевой транзистор из полупроводника типа п. [14]

Принцип работы обычного транзистора существенно отличается от принципа работы полевого транзистора. В некотором отношении полевые транзисторы по своим свойствам более сходны с вакуумными триодами. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5