Обычный транзистор

Cтраница 3

Конструктивные схемы фототранзисторов. [31]

Конструктивно фототранзистор, как и обычный транзистор, представляет собой полупроводниковую монокристаллическую пластинку, в которой имеются чередующиеся области электронной и дырочной электропроводностей ( п-р - п или р-п - р), причем базовая область может облучаться светом. [32]

Конструктивно фототранзистор, как и обычный транзистор, представляет собой полупроводниковую монокристаллическую пластинку, в которой имеются чередующиеся области р - и n - типа электропроводности ( р - д-р или п-р - п), причем базовая область может облучаться светом. [33]

Чем отличается лавинный транзистор от обычного транзистора. [34]

Фототранзистор сочетает особенности фотодиода и обычного транзистора. Переход между коллектором и базой служит светочувствительной зоной пространственного заряда. Возникший фототок усиливается транзистором. Поскольку коэффициент усиления зависит от тока, то выходной ток фототранзистора изменяется с увеличением потока падающего света не совсем линейно. По этой причине фототранзисторы редко используют для измерений. [35]

Основное отличие многоэмиттерного транзистора от обычных транзисторов заключается в том, что он имеет т эмиттеров, объединенных одним слоем базы. Эти эмиттеры располагаются так, что прямое взаимодействие между ними отсутствует. Поэтому много-эмиттерный транзистор Гм эквивалентен транзисторным структурам, имеющим общий коллектор и взаимодействующих друг с другом только за счет движения основных носителей. [36]

Эквивалентные схемы усилительного каскада. а с общей базой. б с общим эмиттером. [37]

Сравнение свойств электронных ламп, полевых и обычных транзисторов показывает, что обычные транзисторы по режиму работы ближе всего подходят к идеальным переключателям. [38]

Структура тока через коллекторный переход точечного транзистора.| Семейство коллекторных характеристик точечного транзистора. [39]

Лавинные транзисторы по сравнению с обычными транзисторами не имеют существенных структурных или конструктивных особенностей. [40]

Триодная структура полупроводниковой интегральной микросхемы, образованная двойной диффузией. 1 - база. 2 - эмиттер, 3 - коллектор.| Полевой транзистор в полупроводниковой интегральной микросхеме. [41]

Ввиду того что микросхемы на обычных транзисторах требуют формирования больших номиналов сопротивлений и емкостей, чаще применяют схемы с полевыми транзисторами, обладающими высоким входным сопротивлением. Благодаря этому емкости в цепях связи и питания могут быть малыми. [42]

В различных схемах ФТ включается как обычный транзистор ( с общим эмиттером, общей базой или общим коллектором), а также как диод со свободной базой, эмиттером или коллектором. [43]

Основное конструктивное отличие структуры фототранзистора от обычного транзистора состоит в наличии прозрачного фотоприемного окна - через это з окно свет, пройдя тонкий эмиттерный слой, попадает в р-базу. [44]

Следует отметить принципиальное отличие тиристора от обычного транзистора, которое заключается в том, что во включенном состоянии тиристора отключение управляющего тока не вносит изменений на процесс протекания анодного тока, так как при этом базы тиристора заполнены неравновесными носителями заряда, которые обеспечивают взаимную встречную инжехцию от эмиттер-ных переходов. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5