Обычный транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 5
Если женщина говорит “нет” – значит, она просто хочет поговорить! Законы Мерфи (еще...)

Обычный транзистор

Cтраница 5


Освоение диапазона частот свыше 1000 Мгц с помощью обычных транзисторов представляется достаточно сложным. Вместо непосредственного генерирования синусоидальных колебаний на высоких частотах ( порядка 1000 Мгц и выше) используют умножение на нелинейных емкостях.  [61]

62 Включение магни-тотранзистора в схеме с ОЭ. [62]

Угол Холла обычно мал, поэтому и магниточувстви-тельность обычных транзисторов также мала. В настоящее время транзисторы Изготавливаются только из германия и кремния. Поскольку подвижность носителей в германии выше, чем в кремнии, то германиевые транзисторы обладают большей чувствительностью к магнитному полю. Возможно также создание магнитотран-зисторов из антимонида индия, который имеет существенно большую подвижность носителей и следовательно, может обеспечить большую магниточувствительность. Однако транзисторы из антимонида индия могут работать только при низких температурах.  [63]

64 Структура кремниевого пла-нарного фототранзистора.| Конструкции фототранзисторов. [64]

Конструктивно фототранзисторы могут выполняться как в корпусах аналогичных обычным транзисторам, так и в специфических корпусах. Перед светочувствительной поверхностью кристалла в корпусе фототранзистора имеется отверстие, закрытое фокусирующей линзой, прозрачной для данной области спектра. На рис. 9.43 представлены типичные конструкции фототранзисторов. В некоторых схемах применения фототранзисторы включаются с оборванной базой. Поэтому отдельные типы фототранзисторов выпускают с двумя выводами.  [65]

66 Условные графические обозначения полевых транзисторов из полупроводника типа п ( а и типа.| В полевом транзисторе из полупроводника типа п измеряют протекающий по нему ток / с в зависимости от напряжения Г3, приложенного между затвором и истоком. Это напряжение изменяют с помощью потенциометра Л. Полученная в результате таких измерений кривая похожа на кривую, характеризующую зависимость анодного тока триода от потенциала сетки. [66]

Это намного лучше того, что происходит в обычных транзисторах, где усиливаемые токи утомляются, так как создают ток база - эмиттер, что требует затраты определенной мощности.  [67]



Страницы:      1    2    3    4    5