Cтраница 5
Освоение диапазона частот свыше 1000 Мгц с помощью обычных транзисторов представляется достаточно сложным. Вместо непосредственного генерирования синусоидальных колебаний на высоких частотах ( порядка 1000 Мгц и выше) используют умножение на нелинейных емкостях. [61]
![]() |
Включение магни-тотранзистора в схеме с ОЭ. [62] |
Угол Холла обычно мал, поэтому и магниточувстви-тельность обычных транзисторов также мала. В настоящее время транзисторы Изготавливаются только из германия и кремния. Поскольку подвижность носителей в германии выше, чем в кремнии, то германиевые транзисторы обладают большей чувствительностью к магнитному полю. Возможно также создание магнитотран-зисторов из антимонида индия, который имеет существенно большую подвижность носителей и следовательно, может обеспечить большую магниточувствительность. Однако транзисторы из антимонида индия могут работать только при низких температурах. [63]
![]() |
Структура кремниевого пла-нарного фототранзистора.| Конструкции фототранзисторов. [64] |
Конструктивно фототранзисторы могут выполняться как в корпусах аналогичных обычным транзисторам, так и в специфических корпусах. Перед светочувствительной поверхностью кристалла в корпусе фототранзистора имеется отверстие, закрытое фокусирующей линзой, прозрачной для данной области спектра. На рис. 9.43 представлены типичные конструкции фототранзисторов. В некоторых схемах применения фототранзисторы включаются с оборванной базой. Поэтому отдельные типы фототранзисторов выпускают с двумя выводами. [65]
Это намного лучше того, что происходит в обычных транзисторах, где усиливаемые токи утомляются, так как создают ток база - эмиттер, что требует затраты определенной мощности. [67]