Обычный транзистор

Cтраница 2

МЭТ от обычных транзисторов заключается в том, что он имеет несколько эмиттеров, расположенных так, что прямое взаимодействие между ними через разъединяющий их участок пассивной базы практически исключается. Элемент И - НЕ, выполненный на МЭТ с простым инвертором ( на интегральной микросхеме) показан на рис. 22, а. En, соответствующие 1 ( U1BX), эмиттеры VT1 смещены в обратном направлении. [16]

Рассмотренная комбинация обычного транзистора и диода Шоттки получила название транзистора с барьером Шоттки: она легко выполнима в интегральном исполнении как одно целое. [17]

Если в обычном транзисторе для получения y - 1 необходимо область эмиттера легировать примесью значительно сильнее, чем область базы, то в транзисторе с гетероэмиттером можно получить Y l и при обратном соотношении. Поэтому область базы в таком транзисторе может быть легирована значительно сильнее, чем области эмиттера и коллектора. Следовательно, ширина базы не изменяется при изменении VK и обратная связь между входом и выходом отсутствует. [18]

В отличие от обычных транзисторов, управляемых входным током, полевые транзисторы управляются электрическим полем, создаваемым входным напряжением. Отсюда возникло их наиболее распространенное название - полевой транзистор. [19]

Структура полевого ( канального фототранзистора и схема его включения. [20]

Как и у обычного транзистора основными характеристиками фототранзисторов являются выходные и входные характеристики. На рис. 9.38 представлены типичные выходные характеристики фоторезисторов. Из рисунка видно, что реальные характеристики фототранзисторов имеют наклон, увеличивающийся с повышением освещенности. [21]

В отличие от обычного транзистора, параметры лампы и полевого транзистора до частот lOO - f - 200 Мгц можно считать частот-нонезависимыми, а эквивалентные схемы их ( Входной и выходной цепей при любом способе включения - состоящими из сопротивления и емкости. На более высоких частотах параметры лампы и полевого транзистора становятся комплексными и частотно-зависимыми, а их эквивалентные схемы усложняются. [22]

Так как параметры обычных транзисторов в лавинном режиме работы не регламентируются, то реальные значения их для большинства транзисторов не известны. Это обусловливает необходимость проведения соответствующих исследований, результаты которых приведены в данной статье. [23]

Эквивалентная схема, включающая внешние параметры. [24]

Влиянием утечек в обычных транзисторах часто пренебрегают. В высокочастотных транзисторах ( таких, как транзисторы с диффузионной базой) это влия-кие в результате может иметь достаточно заметный эффект. [25]

В некоторых случаях вместо обычных транзисторов в схемах преобразователей частоты используют полевые транзисторы, обладающие более низким уровнем шумов. [26]

Транзисторный элемент отличается от обычного транзистора тем, что содержит три p - n - перехода и1 четыре области. Переход, образованный коллектором и подложкой, как уже отмечалось, используется для изоляции элементов схемы друг от друга. Однако из-за наличия емкостей изолирующих переходов между отдельными элементами схемы существует связь по переменному току. [27]

Они аналогичны выходным характеристикам обычного транзистора в схеме ОЭ. Темновой ток фототранзистора / т, равный сквозному току коллектора ( 50 - 100 мка), значительно больше темнового тока фотодиода. Наклон вольт-амперных характеристик фототранзистора превышает наклон характеристик фотодиода. Внутреннее сопротивление фототранзистора меньше, а емкость, шунтирующая переход, больше примерно в 1 В0 раз аналогичных параметров фотодиода с одинаковыми размерами перехода. Эквивалентная схема фототранзистора с нулевым током базы аналогична схеме, показанной на рис. 6 - 6, а. [28]

Конструктивно фототранзисторы отличаются от обычных транзисторов наличием прозрачного окна в корпусе. При освещении базы в ней появляются свободные электроны и дырки. Дырки втягиваются в коллектор, увеличивая ток в его цепи. Оставшиеся в базе основные носители заряда - электроны - создают объемный заряд, облегчающий переход дырок из эмиттера в базу, а затем в коллектор. Даже при небольшом световом потоке ток коллектора оказывается достаточно большим. [29]

Полевые транзисторы отличаются от обычных транзисторов принципом действия. В выходной цепи полевого транзистора отсутствует электронно-дырочный переход, поэтому его относят к группе транзисторов без инжекции. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5