Cтраница 1
Насыщенный транзистор может рассматриваться как точка с нулевым потенциалом, объединяющая коллектор, базу и эмиттер. [1]
Насыщенный транзистор можно уподобить точке непосредственного соединения трех проводов, подходящих к его электродам, а запертый - точке изоляции аналогичных трех проводов. Rl, R3, R5 и R2, R4, R6, что, когда один транзистор заперт, потенциал на базе другого транзистора оказывается отрицательным и достаточным для его насыщения. [2]
Через насыщенный транзистор Т2 правая обкладка конденсатора оказывается связанной с корпусом, а левая обкладка по-прежнему соединена с базой 7 и положительное напряжение на ней запирает транзистор Тг, Мультивибратор перешел во второе квази устойчивое состояние равновесия. [3]
Через насыщенный транзистор Г 2 миттер транзистора Т3 оказывается соединенным с корпусом устройства. [4]
Через насыщенный транзистор Тз эмиттер транзистора Т3 оказывается соединенным с корпусом устройства. Сопротивления делителя RbRe выбирают так, чтобы напряжение на базе Ti оказалось выше напряжения на эмиттере. [5]
Режим насыщенного транзистора триггера ( рис. 7.2, в) отличается от режима насыщенного транзистора инвертора наличием резистора R. [6]
С коллектора насыщенного транзистора снимается остаточное напряжение t / K. H, составляющее доли вольта. [7]
Межэлектродные напряжения насыщенного транзистора пренебрежимо малы по сравнению с напряжениями источников питания. Еб 1 5 в превышает прямое напряжение UQ a только в три - пять раз. [8]
Благодаря использованию насыщенных транзисторов, а также потому, что напряжение отпирания почти не зависит от напряжения источника питания, частота колебаний мультивибратора мало зависит от изменений питающего напряжения. В то же время она сильно зависит от температуры, с повышением которой уменьшается сопротивление эмиттерного перехода закрытого транзистора, так как через него увеличивается движение неосновных носителей заряда. Это сопротивление, шунтируя резистор б, изменяет постоянную времени перезаряда конденсатора. [9]
Результаты анализа насыщенных транзисторов иллюстрируются рис. 5.3. Точки пересечения гиперболы ST и прямой Sr определяют теоретически предельные минимумы поверхности теплоотвода. [10]
Входное сопротивление насыщенного транзистора 7 2, равное гбн2, хотя и мало, но конечно. Базовый ток транзистора Тй, создаваемый не только током через R62, но и током зарядки конденсатора Сь превышает установившееся значение E / Rfa. [11]
Коллекторный ток насыщенного транзистора / Кн, определяемый резистором RK, выбирается из следующих условий. Во-первых, ток / кн должен быть много больше / Кбо, чтобы изменения температуры окружающей среды не изменяли выходного напряжения f / вых триггера. [12]
Входное сопротивление насыщенного транзистора Т2, равное гбна, хотя и мало, но конечно. [13]
Ток базы насыщенного транзистора замыкается через базовую 5.120 обмотку трансформатора, конденсатор С и входное сопротивление насыщенного транзистора гбн. [14]
Соотношения для оптимального насыщенного транзистора непосредственно определяют предельную возможность миниатюризации транзисторного ключа как элемента для бесконтактной коммутации силовых электрических цепей постоянного напряжения. Решать вопрос о рациональности реализации абсолютно минимального размера конструкции следует, руководствуясь экономическими, конструктивными и другими соображениями. Знание же предельных возможностей миниатюризации позволяет избежать принципиальных ошибок при принятии решений. [15]