Насыщенный транзистор

Cтраница 4

Запуск триггера можно производить, запирая насыщенный транзистор или отпирая предварительно запертый. [46]

УВ избираются такими, чтобы ток насыщенного транзистора замыкался через шину выборки слова. Изменение тока в разрядной шине регистрируется усилителем считывания. При записи кроме импульса выборки на разрядных шинах устанавливаются напряжения, необходимые для переключения элемента в нужное состояние. [47]

Это соответствует ранее использованному представлению о насыщенном транзисторе как приборе, стянутом в точку. [48]

Распределение концентрации неосновных носителей заряда в переходном процессе запирания а - при нормальном запирании. б при инверсном запирании. [49]

Возвращаясь к расчету переходных процессов в насыщенном транзисторе, рассмотрим режим так называемого инверсного запирания. Этот режим возникает при относительно больших амплитудах выключающего сигнала. [50]

Как следует из рисунка, базовый ток насыщенного транзистора равен алгебраической сумме тока / х, создаваемого входным импульсом, и тока / 2, текущего от источника смещения. [51]

Проявление эффекта самооткрывания. Uк - напряжение на коллекторе. CK - емкость коллектора. RK - сопротивление коллектора. ЕК - напряжение коллекторной батареи, fig - сопротивление базы. Cg - емкость базы. Кг - сопротивление генератора. U - входное напряжение. т - длительность импульса. [52]

Засыпание триггера проявляется как неспособность к запиранию насыщенного транзистора при низких ( единицы и доли гц) частотах запуска. Причина этого эффекта ( рис. 5) в большом поверхностном заряде протонов, накопленном на поверхности базовой области, когда транзистор находился в насыщенном режиме. Протоны образуются при взаимодействии молекул Н20 с дырками в германии. [53]

Проявление эффекта самооткрывания. UK - напряжение на коллекторе. CK-емкость коллектора. RK-сопротивление коллектора. Е - напряжение коллекторной батареи, fig - сопротивление базы. Cg - емкость базы. Д - сопротивление генератора. URx - входное напряжение. т - длительность импульса.| Схема происхождения эффекта засыпания.| Блок-схема полусумматора. [54]

Засыпание триггера проявляется как неспособность к запиранию насыщенного транзистора при низких ( единицы и доли гц) час-готах запуска. Причина этого эффекта ( рис. 5) в большом поверхностном заряде протонов, накопленном на поверхности базовой области, когда транзистор находился в насыщенном режиме. Протоны образуются при взаимодействии молекул Н2О с дырками в германии. [55]

Значение напряжения на участке коллектор - эмиттер насыщенного транзистора, как известно, порядка десятков милливольт у германиевых транзисторов и сотен - у кремниевых. При изменении температуры в рабочем диапазоне, это напряжение изменяется от единиц до десятков милливольт в зависимости от тока транзистора. [56]

Поэтому может быть построена динамическая выходная характеристика насыщенного транзистора, согласно которой динамическое выходное сопротивление насыщенного транзистора будет меньше статического. [57]

Ненасыщенный ключ. схема ( а, идеализированная вольт-амперная характеристика диода ( б, диаграммы импульсов ( в. [58]

Процесс рассасывания избыточного заряда неосновных носителей в насыщенных транзисторах замедляет их выключение и снижает быстродействие ключей. С целью исключить насыщение применяют схемы ненасыщенных ключей. Идею построения ненасыщенного ключа иллюстрирует схема на рис. 2 - 10, а. Диод и источник Е0 образуют цепь нелинейной отрицательной обратной связи. [59]

Расчет такого мультивибратора достаточно сложен, так как насыщенный транзистор в схемах с непосредственными связями не является эквипотенциальной точкой и опрокидывание мультивибратора в значительной степени определяется видом вольт-амперных характеристик при малых токах. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5