Насыщенный транзистор

Cтраница 3

Зависимость межэлектродных напряжений насыщенного ключа от токов и степени насыщения. [31]

Весьма малые межэлектродные напряжения насыщенного транзистора обычно позволяют считать его эквипотенциальной точкой, что существенно упрощает статический анализ многих импульсных схем. На рис. 14 - 5, а в качестве примера показана обобщенная схема транзисторного ключа с источниками смещения и сопротивлениями в цепях всех трех электродов. [32]

Через малое выходное сопротивление насыщенного транзистора Т напряжение - - Е9 поступает на базу транзистора Тг и запирает его. [33]

Через малое выходное сопротивление насыщенного транзистора 7 напряжение источника питания - Еъ подается на базу Т2 и запирает его. При запертом транзисторе Т2 ток в отклоняющей катушке практически равен нулю. Входной прямоугольный импульс отрицательной полярности длительностью / пх поступает через разделительный конденсатор Ср на базу 7 и запирает его. С коллектора Tt формируемое напряжение поступает на базу Т2 и повторяется на выводах отклоняющих катушек. Генератор управляющего напряжения может быть отнесен к генераторам с простой интегрирующей цепью и ключеным транзистором. Эмиттерный повторитель на транзисторе Т2 служит источником напряжения и ( t) с малым выходным сопротивлением. [34]

Пусть / кн-ток коллектора насыщенного транзистора триггера, а / 6-ток его базы. Для вывода транзистора из режима насыщения запускающий импульс должен увеличить ток коллектора: А / к В. [35]

В аналогичном элементе на биполярных насыщенных транзисторах напряжение на выходе при открытых транзисторах было практически равным нулю и поэтому не зависело от числа открытых транзисторов. Здесь же это напряжение может существенно изменяться в зависимости от логической ситуации на входах. [36]

Ключ с транзистором, стянутым в точку ( а, и ключ с составным. [37]

Напряжение между коллектором и эмиттером насыщенного транзистора t / кэн мало и составляет несколько десятков милливольт у маломощных приборов и ( 1 Ч - 3) В у мощных. [38]

Рассмотрим теперь зависимость межэлектродных напряжений насыщенного транзистора от заданных токов. [39]

В исходном состоянии на коллекторе насыщенного транзистора Г, - низкий потенциал, а на коллекторе Т2 - высокий, близкий к Еж. Входной импульс дифференцируется, и отрицательный короткий импульс поступает только через открытый Д1 в базу насыщенного 7, вызывая опрокидывание триггера. [40]

Рассмотрим теперь зависимость межэлектродных напряжений насыщенного транзистора от заданных токов. [41]

Для упрощения анализа схем с насыщенными транзисторами принимают, что гкэ. [42]

Переходные процессы в схеме с насыщенными транзисторами удобно рассчитывать так называемым методом заряда, в основе которого лежит принцип нейтральности базы. [43]

Формирование вершины импульса стрисходит при насыщенном транзисторе и напряжении на его коллекторе, близком к нулю. [44]

При закрытом ключе конденсатор разряжается через насыщенный транзистор. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5