Дислокация - несоответствие
Cтраница 1
 |
Схема последовательных стадий образования дислокаций несоответствия с вектором Бюргерса, наклоненным к плоскости пленки. [1] |
Дислокации несоответствия в эпита-ксиальных пленках полупроводников, насколько нам известно, специально не изучались. Эмик и др. [160], исследуя эпитаксию CaAs на Ge, пришли к выводу, что плотность дислокаций на поверхности германиевой подложки ( 103 см-2) не изменяется после наращивания арсенида галлия и что, следовательно, поверхность подложки не аккомодирует с растущим на ней слоем, как это следовало бы ожидать из теории ван дер Мерве. Однако недостаточность сведений не позволяет считать этот вывод однозначным. [2]
Дислокации несоответствия а / 2 ( 110) наблюдаются только на поверхности раздела в фазе, богатой алюминием; расстояние между ними составляет около 0 03 мкм. Возможно, что в данной тройной эвтектике, а также в эвтектике Сг - NiAl [14] дислокации несоответствия на самом деле являются скользящими дислокациями в матричной фазе. [3]
 |
Зависимость энергии Е поверхности раздела от параметра р, характеризующего несоответствие сопряженных решеток. [4] |
Появление дислокаций несоответствия уменьшает энергию межфазной границы на величину, характеризуемую на рис. 3 - 2 отрезком РР. [5]
Механизм образования дислокаций несоответствия предусматривает, что при наличии большого несоответствия периодов плоских ячеек сопряжения подложки и конденсата ( при одинаковой или различной симметрии обеих кристаллических решеток) вместо сильного упругого искажения одной или обеих решеток на границах их сопряжения или после образования нескольких атомных слоев возникают дислокации несоответствия, которые компенсируют различие периодов двух решеток. [6]
При ЕмЕ вводятся дислокации несоответствия. [8]
Другой механизм введения дислокаций несоответствия связан с зарождением дислокаций у свободной поверхности на краях островка, вблизи которых локализованы большие сдвиговые напряжения. [9]
Ясно, что плотность дислокаций несоответствия ( или расстояние между ними) зависит от разности периодов решеток срастающихся кристалов. [10]
Однако по мере укрупнения зародышей дислокации несоответствия не остаются неподвижными. Как показали Джессер и др. [149, 151], упругая деформация решетки, связанная с аккомодацией несоответствия, уменьшается с ростом размеров зародышей. [11]
Одним из способов уменьшения концентрации дислокаций несоответствия явлется одновременное введение электрически нейтральной [37] или электрически активной [38] примеси соответствующего радиуса для компенсации напряжений. В гетероэпитаксиальных пленках генерация структурных дефектов осуществляется более эффективно, поскольку источником их возникновения служат различия как в постоянных решетки кремния и подложки ( 5 - 15 % для сапфира и 0 8 - 1 9 % для шпинели), так и в коэффициентах теплового расширения. Отклонение температуры сапфировой подложки от оптимальной всего на 5 - 10 С приводит к уменьшению дрейфовой подвижности носителей заряда в полевых транзисторах на 5 - 10 % и к значительному ( - 15 %) разбросу подвижности по структуре. [12]
 |
Критическая температура хрупкости Тс.| Изменение типа микроразрушения в зависимости от температуры при испытаниях на ударную вязкость в. [13] |
Их возникновение является результатом образования дислокаций ори-ентационного несоответствия в месте пересечения границы плоскостью скольжения. В то же время межзеренные границы оказывают благоприятное влияние на торможение трещин. Это связано с дополнительной диссипацией энергии при переориентации трещины или зарождении новых микротрещин. На молибдене с исходной суб-зеренной структурой было показано, что в результате прохождения трещины через субграницу происходит полное разрушение дислокационных границ в узкой зоне порядка двух диаметров субзерна. После прохождения трещины в этой зоне формируется новая более дисперсно-фрагментированная дислокационная структура. [14]
 |
Схемы строения когерентной ( а и полукогерентной ( б границ между кристаллами фаз а и р. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5