Дислокация - несоответствие
Cтраница 2
Эти дислокации называют структурными или дислокациями несоответствия. [16]
Кроме электронномикроскопических наблюдений, на существование дислокаций несоответствия, по мнению Градманна [159] указывает сверхструктура, наблюдаемая на электронограммах отражения от тончайших слоев Ag / ( lll) Си и Ni / ( lll) Си. Град-манн считает, что тонкая структура электронограмм объясняется наличием периодической сетки дислокаций несоответствия. [17]
С утолщением железной пленки, на электронномикроскопиче-ском снимке появлялись дислокации несоответствия. Чем больше становилась толщина, тем больше была длина линий дислокаций несоответствия, приходившаяся на единичную площадь. [18]
После коалесценции зародышей и образования сплошной пленки рассмотренный механизм возникновения дислокаций несоответствия перестает действовать. Вместе с тем при утолщении пленок в связи с уменьшением доли несоответствия аккомодируемой упругой деформации плотность дислокаций несоответствия не может оставаться постоянной, а должна возрастать. [19]
При увеличении толщины наращиваемого слоя AI больше критической ЛКр введение дислокаций несоответствия становится энергетически выгодным. [20]
Если тонкий кристалл А представляет собой изолированный островок на массивном кристалле AZ, то дислокации несоответствия начинают вводиться лишь тогда, когда его размер R больше некоторого критического. [21]
Исходя из анализа сил, действующих на границе раздела, находят условия ( величину упругих искажений, плотность дислокаций несоответствия и др.), при которых межфазная поверхностная энергия минимальна. [22]
Представляют интерес также другие работы Метыоза и других исследователей, в которых удалось раздельно оценить вклад упругой деформации и дислокаций несоответствия. Метьюз в соответствии с теорией ван дер Мерве приписал этот результат частичному изменению периодов сопрягающихся решеток ( на 0 06 %), направленному на уменьшение величины А. В соответствии с этим 4 % существующей разности периодов решеток PbSe и PbS компенсируется их деформацией, а остальные 96 % образованием дислокаций несоответствия. [23]
 |
Рельеф поверхности алюминия с локальными участками окисления, е 20 % ( стрелками показаны границы окисной пленки. [24] |
В первом случае параметры решетки и структура пленки и основного металла различны, при этом на границе раздела формируется сетка дислокаций несоответствия структур. Эта сложная сетка препятствует выходу дислокаций на поверхность. Ярким примером такого взаимодействия на границе металл - пленка может служить окисление металлов с образованием на поверхности структурированных слоев. [25]
В последнее время активно исследуется возможность создания эффективных излучающих устройств на основе гетероструктур SiGe / Si, содержащих достаточно регулярные сетки дислокаций несоответствия, которые эффективно захватывают неравновесные носители заряда и экситоны за счет создаваемых вокруг них достаточно дальнодействующих полей упругих напряжений. Наблюдаемая при этом локализация носителей способствует появлению так называемой дислокационной люминесценции, в частности на длине волны - 1 53 мкм. Природа этого явления еще далеко не ясна. Но достаточно надежно установлено, что дислокационная люминесценция возникает в сетке дислокаций несоответствия, имеющей достаточно большое количество пересечений дислокаций из разных плоскостей скольжения. [26]
Исследования показали, что при росте мартенситного кристалла на его границе вследствие несоответствия кристаллических решеток фаз появляются дислокации, называемые структурными или дислокациями несоответствия. [27]
Одна из основных трудностей при исследовании подобных объектов состоит в образовании картин муара от совмещенных кристаллических решеток, имеющих такой же вид, как и дислокации несоответствия. Однако на двух снимках, приведенных в статье [147], отражения, соответствующие картинам муара и сеткам дислокаций, оказались неидентичными. [28]
В табл. 1.10 приведены значения / гкр для сплошных эпитаксиальных пленок различных металлов, а также радиусы гкр критических зародышей, соответствующие условию образования псевдоморфных слоев без дислокаций несоответствия. [29]
На роли дислокаций в образовании и развитии пористости следует остановиться особо, так как дислокации в растущем покрытии возникают на самых ранних стадиях даже при эпигаксиальном росте, например дислокации несоответствия. Согласно классическим представлениям вокруг линии дислокации могут возникать облака из вакансий, которые при достаточном пересыщении конденсируются в небольшие сферические или близкие к ним по форме полости, располагающиеся вдоль дислокаций в виде цепочек. Такие полости могут образоваться как на краевых, так и на винтовых дислокациях; они прочно удерживают дислокации, препятствуя их переползанию и скольжению. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5