Дислокация - несоответствие
Cтраница 4
Джонс, однако, исходит из того, что несколько первых слоев меди на поверхности вольфрама упруго деформированы до соответствия с подложкой. Мерве в данном случае должны образоваться дислокации несоответствия, Джонс полагает, что первые шесть слоев деформированы до соответствия с подложкой и дислокаций не содержат. Лишь с превышением толщины слоя ( 5 - 6) 9 на нем образуются зародыши с нормальной кристаллической решеткой. Уменьшение энергии десорбции и снижение работы выхода после образования первого монослоя Джонс объясняет деформацией растущего слоя. [46]
Предполагалось, например [1306 - 1308], что дислокации несоответствия могут образовывать сетку на границе раздела поверхности и давать вклад в рассеяние. [47]
 |
Зависимость энергии Е поверхности раздела от параметра р, характеризующего несоответствие сопряженных решеток. [48] |
При несоответствии, меньшем некоторого критического ДКр, компенсация достигается упругим способом. При ДДКр энергетически более выгодно наличие дислокаций несоответствия. [49]
Высокий уровень деформации в кристалле А может вызвать раздвижение этой дислокации в плоскости границы раздела. Появившийся участок СС представляет собой участок дислокации несоответствия. [51]
Обычной структурой хрома является объемно-центрированная, кубическая, но если хром осаждается в сверхвысоком вакууме на эпитаксиально выращенную ( 001) никелевую подложку, то он в случае малой толщины слоя ( - 10 А), имеет гране-центрированную кубическую структуру Отчетливо проявляются длинные прямолинейные дислокации, частично устраняющие несоответствие между параметрами решеток гране-центрированного кубического никеля и гране-центрированного кубического хрома. По мере увеличения толщины пленки разрешение дислокаций несоответствия становится более слабым и на дифракционной картине появляются рефлексы отражения от обычного объемно-центрированного кубического хрома. [52]
Во втором случае реализуются механизмы, близкие к хрупкому разрушению. Поэтому на границе раздела возникает сетка дислокаций несоответствия. Эта сложная дислокационная сетка представляет серьезное препятствие для выхода дислокаций на поверхность. На поверхностях раздела основного металла и модифицированных слоев вторичных структур образуются трещины. Эта особенность вполне согласуется с представлениями том, что линии скольжения, образуемые дислокациями и заблокированные на поверхности раздела между основным металлом и слоем вторичных структур, создают высокую концентрацию напряжений, которая при многократных повторных нагружениях приводит к образованию трещин и разрушению. [53]
В большинстве случаев эпитаксии, особенно при эпитаксии разнородных кристаллов с большим несоответствием решеток, например металлов и ионных соединений, более вероятно сопряжение двух неискаженных решеток без псевдоморфизма. Различие периодов решеток при этом компенсируется дислокациями несоответствия. [54]
Авторам этой работы удалось показать, что дислокационная структура подложки не наследуется растущим монокристаллическим покрытием. Дислокации подложки на границе с покрытием переходят в дислокации несоответствия. [55]
Наиболее эффективным методом изучения межфазных границ является просвечивающая электронная микроскопия. О наличии когерентности можно судить по характерному контрасту, дислокации несоответствия на межфазной границе непосредственно фиксируются на экране микроскопа, взаимная ориентация кристаллических решеток матрицы и выделения рассчитывается из картин микродифракции. [56]
С утолщением железной пленки, на электронномикроскопиче-ском снимке появлялись дислокации несоответствия. Чем больше становилась толщина, тем больше была длина линий дислокаций несоответствия, приходившаяся на единичную площадь. [57]
Если поверхность подложки перед эпитаксией считать идеально чистой, то основным видом дефектов в растущем слое будут дислокации. Причиной может быть их репродуцирование в слое, а также развитие дислокаций несоответствия в случае гетероэпитаксии. В случае автоэпитаксии при полном соответствии решеток дислокации могут появляться вследствие пластической деформации решетки слоя при отжиге механических напряжений на границе слой - подложка, возникающих в том случае, если тип или уровень легирования подложки и слоя различны. В большинстве случаев это имеет место при получении р-п-структур. [58]
Кроме электронномикроскопических наблюдений, на существование дислокаций несоответствия, по мнению Градманна [159] указывает сверхструктура, наблюдаемая на электронограммах отражения от тончайших слоев Ag / ( lll) Си и Ni / ( lll) Си. Град-манн считает, что тонкая структура электронограмм объясняется наличием периодической сетки дислокаций несоответствия. [59]
Имеется критическое несоответствие Акр, ниже которого этот случай реализуется практически. При величине несоответствия А Дкр дальнейшая деформация решетки слоя и устранение дислокаций несоответствия становятся энергетически невыгодными и линейная плотность дислокаций приближается к значению, определяемому величиной А. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5