Дислокация - несоответствие
Cтраница 3
 |
Решеточные дислокации в границе зерна ( Х20000. [31] |
Если-температура деформации ниже 0 35 - 0 4 Тпл, то процессы возврата структуры границы [50], не происходят в достаточной степени, и при увеличении степени деформации плотность дислокаций, адсорбированных границей, или дислокаций несоответствия возрастает, и уже при 5 - 10 % деформации на границах существует сложный контраст, настолько сильный, что толщинные полосы практически не наблюдаются. [32]
Механизм образования дислокаций несоответствия предусматривает, что при наличии большого несоответствия периодов плоских ячеек сопряжения подложки и конденсата ( при одинаковой или различной симметрии обеих кристаллических решеток) вместо сильного упругого искажения одной или обеих решеток на границах их сопряжения или после образования нескольких атомных слоев возникают дислокации несоответствия, которые компенсируют различие периодов двух решеток. [33]
 |
Изменение периодов решетки зародышей платины на золоте в зависимости от их размеров. [34] |
Метьюз [152] ссылается на ряд факторов, не учитываемых в теории: 1) взаимодиффузию металлов у границы, которая должна уменьшать реальное несоответствие; 2) возможность частичной деформации не только пленки Аи ( h 100 А), но и Pd ( h fy 400 А)); 3) влияние рассмотренного ранее механизма образования дислокаций несоответствия в процессе роста пленки. [35]
Причем данная модель и количественная оценка вероятности ее реализации, изложенная в [98], относится к случаю слабой адгезии окисной пленки с кристаллом, когда силами связи на межфазной границе раздела фактически можно пренебречь и рассматривать процесс межфазного проскальзывания ( сдвига) между указанными материалами, имеющими различные модули упругости, с образованием дислокаций на межфазной границе раздела типа дислокаций несоответствия. [36]
 |
Дефектная структура эпитак-сиальной пленки Si на поверхности ( 100 магниево-алюминиевой шпинели. [37] |
Дислокации несоответствия были обнаружены методом рентгеновской топографии в автоэпитаксиальных слоях Si, сильно легированных бором. [38]
Величина е соответствует максимальной упругой деформации кристалла А, при которой все несоответствие А может быть компенсировано упругим способом. Введение дислокаций несоответствия снижает энергию системы за счет уменьшения упругих искажений. [39]
Дислокациями / равно: fNai ( N l) u2, где N - число атомных плоскостей ( вертикальных линий на рис. 3 - 1) между двумя соседними дислокациями. При наличии дислокаций несоответствия уровень упругих искажений, возникших на границе раздела, понижается. [40]
При этом часть дислокации ad, пронизывающая островок, выводится, смещаясь в плоскости - скольжения cd за его пределы. На границе раздела вводится дислокация несоответствия. [41]
С помощью высокоразрешающих ПЭМ и других методов детально исследуются ситуации на границах раздела в многофазных наноматериалах. Здесь важным является обнаружение дислокаций несоответствия, диффузионного взаимодействия и появления индивидуальных фаз. [42]
Упругие смещения и, следовательно, внутренние напряжения могут быть уменьшены, если существует другой механизм компенсации несовпадения атомных сеток плоскостей сопряжения. Такой механизм связан с дислокациями несоответствия. Поэтому упругие искажения должны компенсировать только часть тех смещений, которые должны были бы компенсироваться при когерентном сопряжении фаз. Сопряжение фаз, при котором уровень внутренних напряжений понижается за счет дислокаций несоответствия, называется частично когерентным. [44]
Ими было установлено, что тонкие пленки ( 20 А) имеют гране-центрированную кубическую структуру и что они деформированы при сопряжении с решеткой мели. В более толстых пленках генерируются дислокации несоответствия, частично устраняющие несоответствие между параметрами гране-центрированного кубического железа и подложкой. Остаточное несоответствие устраняется упругими напряжениями. Из микроснимков в электронном микроскопе видно, что структурный переход гра-не-центрированный кубический - объемно-центрированный кубический начинается с образования многочисленных небольших зародышей. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5