Триметилгаллий

Cтраница 3

Изучены бинарные равновесия жидкость-пар на основе три-метилалюминия, диметилцинка, триметилгаллия, тетраметилолова и тетраметилсвинца. Показано, что системы на основе триметилалю-миния имеют отрицательное отклонение от идеальности. Проведен расчет коэффициентов активности компонентов с использованием теории свободного объема. Показана применимость расчетных методов для данных систем. [31]

На первой стадии реакции устанавливается динамическое равновесие между диэтиловым эфиратом триметилгаллия и вновь образующимися эфиратом с диизоамиловым эфиром. Это равновесие можно сместить вправо, удаляя из реакционной смеси выделяющийся диэтиловый эфир. Образовавшийся эфират триметилгаллия с диизоамиловым эфиром термически нестабилен и при нагревании распадается на триметилгаллий и эфир. При этом триметил-галлий может быть легко выделен ректификацией. [32]

С; при температуре выше - 130 С он разлагается на триметилгаллий, металлический галлий и водород. [33]

Зависимость скорости роста ( 111 GaAs на ( 0001 А1гО., от температуры подлож ] м. [34]

Нелегированные эпитаксиалыше слои ареенида галлия толщиной - 5мкм, полученные из триметилгаллия и арсина, обладают высоким сопротивлением порядка 103 - И5 ом-см. [35]

Исходя из условий синтеза рассматриваемых соединений, можно предположить, что микропримеси в триметилгаллий и его эфирате присутствуют, в основном, в виде метальных, метилгалоидных и оксигалоидных производных. [36]

Эбулиометрическим методом изучены равновесия жидкость - пар бинарных систем триметилалюминия с диметил-цинком, триметилгаллием, тетраметилоловом и тетраметил-свинцом. Результаты исследования представляют интерес при изучении глубокой очистки триметилалюминия от примесей, лимитирующих электронную чистоту продукта. [37]

Для расчета ректификационного процесса необходимы данные о равновесии жидкость - пар разбавленных растворов примесей в триметилгаллии. Примесями, лимитирующими процесс ректификационной очистки, следует считать летучие алкиль-ные соединения металлов II и IV группы периодической системы. [38]

Исследовано равновесие жидкость - пар разбавленных растворов диметил - и диэтилцинка, диметилкадмия и тетра-метилолова в триметилгаллии. Показано, что исследованные системы хорошо описываются теорией свободного объема. [39]

Тетраметилдигаллан, Ga2H2 ( CH3) 4, образуется под действием электрических разрядов из смеси паров триметилгаллия и водорода. [40]

Была найдена зависимость скорости роста пленки арсенида галлия на окиси алюминия от температуры при постоянной скорости введения - паров триметилгаллия в реактор. [41]

Температурная зависимость ЯМР Н триметилалюмииия в. луоле ( Хэм, Моль. [42]

Межмолекулярный характ процесса подтверждается тем, что в присутствии триметилга лия коалесцируют не только отдельные сигналы метильш групп триметилалюминия и триметилгаллия, но при более в соких температурах даже два усредненных сигнала этих дв соединений сливаются вместе. [43]

Хлористый водород реагирует с триметил галл нем сначала с образованием двухлористого метилгаллия; при действии хлористого водорода на аммиачный комплекс триметилгаллия в растворе эфира из комплекса вытесняется аммиак. [44]

Было изучено образование и рост эпитаксиальных слоев арсенида галлия на подложке из окиси алюминия при термическом разложении при температуре 675 С смеси паров триметилгаллия и арсина. На ранней стадии роста арсенида галлия наблюдается возникновение многочисленных центров кристаллизации, которые срастаются, образуя большие островки, и в конечном счете получается сплошное покрытие. Так, приблизительно через секунду поверхность окиси алюминия покрывается почти полностью большим количеством островков размером 0 15 мкм, которые обнаруживают некоторый эпи-таксиалышй порядок. Поверхность пленки на этой стадии сравнительно неровная, средняя толщина островков составляет - 350 А. Покрытие становится сплошным через 5 сек. [45]

Страницы: 1 2 3 4