Полная дислокация

Cтраница 2

Зарождение и распространение двойника. [16]

А), в которой на каждые две плоскости решетки приходится одна полная дислокация с вектором Бюргерса АВ. Однако эта модель энергетически не самая выгодная. [17]

Если Sn ( x) - 0, то (3.14) задает распределение полных дислокаций вдоль неза-вершешшй полосы скольжения, а с помощью (3.25) можно определить длину скопления во внешнем поле. При S0 - Q ( 3 14) переходит в уравнение, описывающее форму тонкой трещины, а (3.25) фактически совпадает с основным уравнением силовой теории тонких трещин [168], определяющим длину трешины во внешнем поле. [18]

Однако нам не удалось с помощью метода слабого пучка уверенно обнаружить расщепление полных дислокаций на частичные даже в сплавах Сг-20 % Fe и V-16 % Ga, у которых особенно сильно спрямляются дислокации вдоль винтовых компонент. [19]

Промежуточная. стадия пересечения плоскости дефекта упаковки растянутой дислокацией. [20]

Назовем промежуточный выступ неполным выступом, а выступ, появившийся после перерезания полной дислокацией, обычным выступом или полным выступом. Энергия неполного выступа должна быть; меньше энергии полного выступа и может быть взята равной половине. Когда растянутая дислокация носит винтовой характер и параллельна плоскости, содержащей дефект упаковки, образуется иной тип промежуточного выступа, а при прохождении следующей неполной дислокации выступ исчезает вовсе. И в этом случае считают, что энергия промежуточного выступа составляет около половины энергии полного выступа. [21]

В гексагональной плотно упакованной структуре, а также в структуре типа графита диссоциация полной дислокации на частичные в соседних плоскостях с происходит в разной последовательности. [22]

Поскольку п не является больше целым числом, метод аналитических расчетов, проведенных для полной дислокации, в рассматриваемом случае неприменим. [23]

Полоска дефекта называется краевой или винтовой в зависимости от ориентации ( краевой или винтовой) полной дислокации вне узла. [24]

Ямки травления из плоскости ( HI кремния. [25]

Искривленные дислокации ( состоящие из совокупности краевых и винтовых дислокаций) также могут принадлежать к полным дислокациям. [26]

В [ 76J был предложен следующий механизм размножения дефектов при многократном возвратно-поступательном перемещении двойниковой границы через покоящуюся полную дислокацию. Многократное включение полной дислокации поочередно то в двойник, то в материнский кристалл приводит к размножению дефектов. [27]

Молибден, хром и особенно ниобий отличаются аномальным поведением при пластической деформации, в них легко образуются полные дислокации 100, вектор Бюргерса которых больше, чем у дислокаций 1 / 2 111, казалось бы, предпочтительных в ОЦК металлах. Таким образом, в плотноупакованных структурах наиболее жесткие шютноупакованные ряды характеризуются наименьшими расстояниями и наибольшими энергиями связи между ближайшими соседями, а в тугоплавких ОЦК металлах наиболее прочными могут быть неплотноупакованные ряды 100 с сильными ог-связями. [28]

Температурная зависимость микротвердости германия, легированного акцепторной ( а, галлий и донорной ( б, мышьяк примесями.| Температурные зависимости микротвердости элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений. [29]

Так как модуль вектора Бюргерса частичной двойникующей дислокации а УИ / 6 меньше, чем вектор Бюргерса полной дислокации а У 2 / 2, то и напряжение Пайерлса оказывается существенно ниже, чем при скольжении. Таким образом, на основании изложенного выше можно заключить, что деформация двойникованием при Т 0 55ТПЛ является достаточно общим признаком кристаллов полупроводников с решеткой алмаза и сфалерита. [30]

Страницы: 1 2 3 4