Полная дислокация

Cтраница 4

В [ 76J был предложен следующий механизм размножения дефектов при многократном возвратно-поступательном перемещении двойниковой границы через покоящуюся полную дислокацию. Многократное включение полной дислокации поочередно то в двойник, то в материнский кристалл приводит к размножению дефектов. [46]

Внутренние напряжения от полных дислокаций, равномерно распределенных по кристаллу, должны давать добавку в эффективную силу трения Д5 - цЬ / Ма, которая совпадает по порядку величины с экспериментально измеряемым увеличением S0 в дефектных кристаллах. [47]

Видно, что трансляция А А переводит атомы ( шары) в одинаковые положения, не меняя их чередования: от лунки А к такой же лунке А. Бюргерса, соответствующий полной дислокации, не нарушает порядка чередования слоев. [48]

В случае же полной дислокации сдвига не будет заметно, так как он равен целому числу расстояний между контурами. [49]

Представление некогерентной границы остаточного двойника в виде плоского скопления двойникующих дислокаций. [50]

Эти напряжения могут быть оценены следующим образом: а - адв / ггр ( адв - поверхностная энергия двойниковой границы, ггр - физическая толщина границы; согласно результатам гл. Как и в случае образования полных дислокаций вблизи ступенек на поверхности [239], суммарные напряжения могут приближаться к теоретической прочности. Такой источник обеспечит нужное для движения границы число дислокаций. [51]

Только в этом случае происходит сепарация частичных дислокаций под действием внешних напряжений, связанная с тем. Бюргерса частичных дислокаций, образующие полную дислокацию, имеют составляющие, направленные в противоположные стороны. Для образования субструктуры с расщепленными дислокациями необходимы низкая энергия дефекта упаковки п малое число систем скольжения. [52]

Резкая зависимость подвижности индивидуальных дислокаций от температуры и напряжения обусловлена как пайерлсовским механизмом [1 - 6], так и особенностями расщепления дислокаций в ОЦК металлах. В работах [2, 16 - 19] проанализированы возможные схемы диссоциации полных дислокаций в ОЦК решетке на частичные. [53]

Критерием отбора механизма такой перекачки является сопоставление определяемой в эксперименте зависимости В ( Т) с теоретически предсказываемой. Вот почему экспериментальному определению В ( Т) полных дислокаций посвящено много исследований. Используемая; методика не позволила провести прямое измерение Я ( Г), и ее значение определялось косвенным путем - по скорости движения границы остаточного двойника. [54]

Плоскость ( ab) элементарной ячейки показана на фиг. В направлении Ь, например, представляется возможной диссоциация полной дислокации на восемь частичных. [55]

Для нас лишь важно, что дислокации превращения аналогичны полным дислокациям и могут быть рассмотрены как объекты континуальной теории, которые сравнительно легко перемещаются в определенных плоскостях, расширяя при этом область кристалла, перешедшего в другую фазу. Принципиально новым моментом для дислокации превращения по сравнению с полными дислокациями является появление дополнительных сил, действующих на нее в кристалле. [56]

Сумма векторов Бюргерса этих дислокаций и дислокаций в дефекте упаковки ( двойнике) должна быть равна либо нулю, либо полному вектору решетки. В последнем случае в пленке образуется по крайней мере одна полная дислокация. [57]

Эти ступеньки увеличивают энергию поверхности мартенситной пластины. Снизить энергию поверхности можно уменьшением высоты ступенек, что достигается заменой полных дислокаций частичными двойникующими с меньшим вектором Бюргерса. Однако при прохождении двойникующей дислокации через толщу пластины создается дефект упаковки, повышающий объемную энергию мартенситного кристалла. Расчет показывает, что пока пластина тонкая, двойникование энергетически выгоднее скольжения, так как выигрыш в энергии поверхности пластины перекрывает проигрыш в ее объемной энергии. С увеличением толщины пластины растет протяженность дефектов упаковки от двойнякующих дислокаций и, начиная с некоторой критической толщины пластины, энергетически выгоднее становится дополнительная деформация скольжением полных дислокаций, сменяющая дополнительную деформацию двойиикованием. [58]

Страницы: 1 2 3 4