Тепловое возбуждение
Cтраница 1
 |
Наклонная стенка. устойчивая группа краевых дислокаций с одинаковыми векторами Бюргерса, расположенных в параллельных плоскостях. [1] |
Тепловое возбуждение способствует процессу пересечения дислокаций с образованием ступенек и стремится разрушить узлы дислокаций, что энергетически очень сложно. Реакции между дислокациями с образованием их уз лов и в конечном счете клубков, сильно затрудняющих скольжение других дислокаций - один из наибодее важных механизмов деформационного упрочнения. [2]
Тепловое возбуждение будет в первую очередь забрасывать электроны из валентной зоны на этот свободный примесный уровень. Если А5а A3 и температура недостаточна для того, чтобы электроны могли преодолеть запрещенную зону и попасть в зону проводимости, то носителями заряда в таком веществе будут только дырки валентной зоны, так как электроны, заброшенные на примесный уровень, не участвуют в электрическом токе. [3]
Тепловое возбуждение в газе приводит к уширению линий, вследствие чего полуширина линии оказывается пропорциональной у Т / т, где m - атомный вес элемента. Для высоких температур и не очень тяжелых атомов полуширину линии легко измерить. Таким образом, допплеровское уширение дает удобный метод для измерения температур; этот метод особенно ценен при измерении кинетической температуры, которая спектроскопически не может быть непосредственно измерена никаким иным способом. [4]
Вследствие теплового возбуждения при Т О К какая-либо валентная связь между двумя атомами может оказаться нарушенной. Один из электронов, участвующих в парноэлектронной связи, может получить энергию, превосходящую по величине энергию, запасаемую при ковалентной связи, и стать свободным электроном. [5]
Влияние тепловых возбуждений на сжимаемость при низкой температуре не существенно, так как возбуждений очень мало. [6]
Вследствие теплового возбуждения с повышением температуры электроны, расположенные у верхней границы валентной зоны, могут перейти в зону проводимости. На рис. 13.14 показано расположение энергетических зон диэлектрика и полупроводника. С повышением температуры у полупроводников растет число электронов, перешедших вследствие теплового возбуждения в свободную энергетическую зону и участвующих в проводимости. Поэтому сопротивление полупроводников уменьшается с повышением температуры. [7]
 |
Распределение электронов по энергиям. [8] |
Помимо теплового возбуждения, электрон может получать также необходимую энергию за счет воздействия световых колебаний определенной частоты. [9]
Вследствие теплового возбуждения при Т О К какая-либо валентная связь между двумя атомами может оказаться нарушенной. Один из электронов, участвующих в парноэлектронной связи, может получить энергию, превосходящую по величине энергию, запасаемую при ковалентной связи, и стать свободным электроном. [10]
Энергию теплового возбуждения можно не вводить в выражение для W, так как она не зависит от Аг и не повлияет на результат усреднения по формуле ( В. [11]
Помимо теплового возбуждения, электрон может получить также необходимую энергию за счет воздействия световых колебаний определенной частоты. [12]
Для теплового возбуждения правила отбора не имеют места. [13]
Благодаря тепловому возбуждению точечные дефекты не остаются в кристалле на одном месте, они дрейфуют по его объему. Дрейф ( или диффузия) точечных дефектов может происходить хаотически ( самодиффузия) или же направленно под действием градиентов температуры, напряжения или концентрации дефектов. А [ / энергетического барьера, который необходимо преодолеть при перемещении дефекта из одного устойчивого положения в другое. На величину At / влияет поле напряжений. В связи с этим вакансии и атомы примесей с малыми радиусами ( по сравнению с атомами основного металла) диффундируют в зоны сжатия, а внедренные атомы и атомы примесей с большими радиусами-в зоны растяжения. [14]
 |
Энергетическая зонная модель оксидного катода. [15] |
Страницы: 1 2 3 4