Cтраница 3
Они возникают при тепловом возбуждении лишь при более высоких температурах. [31]
При более высоких температурах тепловое возбуждение нарушает ориентацию некоторых атомных моментов; выше температуры Кюри ферромагнитное вещество становится парамагнитным. Парамагнитная восприимчивость никеля, палладия и платины показана на рис. XIV.3. Для всех трех веществ магнитные моменты, которые даны наклоном линий, примерно равны величине, полученной из момента насыщения для никеля в его ферромагнитном состоянии, ниже 680 К. [32]
Естественно предположить, что тепловое возбуждение делает возможным переход электронов от одной группировки к другой. В результате возникает проводимость, сходная по своей зависимости от температуры с проводимостью элементарных полупроводников, хотя и сильно отличающаяся в деталях. Величина электросопротивления металлической пленки резко уменьшается с увеличением приложенного электрического поля. Гортер [62] предположил, что это происходит из-за уменьшения потенциального барьера, образующегося между отдельными группировками атомов. Качественная оценка влияния электрического поля на величину электросопротивления пленок довольно хорошо согласуется с экспериментальными данными. Поэтому можно считать, что упрощенная модель удовлетворительно описывает свойства тонких металлических пленок. [33]
Как указывалась выше, тепловое возбуждение приводит к разрыву ковалентных связей и вырыванию валентных электронов из атомов. Поэтому общая концентрация п и р очень сильно растет с температурой. [34]
Проводимость, обусловленную процессом теплового возбуждения исходной ( без примесей) кристаллической решетки, называют собственной, поскольку она определяется свойствами самого кристалла. [35]
Чтобы учесть полный эффект теплового возбуждения, каждый член суммы следует умножить на величину ехр ( - DJ), где DJ - коэффициент Дебая - Уоллера. [36]
Как найти среднюю энергию теплового возбуждения осциллятора при температуре Т, если предположить, что его энергия может принимать только дискретные значения е лес. В каком случае результат совпадает с тем, что дает теорема о равнораспределении. [37]
При условии относительной слабости теплового возбуждения кристалла ( не слишком высокие температуры) коллективные движения в нем могут рассматриваться в первом приближении как невзаимодействующие. В этом случае газ квазичастиц описывается моделью идеального газа; иными словами, энергией взаимодействия квазичастиц можно пренебречь. [38]
О, поскольку вследствие теплового возбуждения спины всегда хаотически распределены в малом те-яесяомч угле. [39]
Там, где повышается концентрация тепловых возбуждений, температура, естественно, повышается вместе с рп. Поэтому второй звук отвечает волне температурных колебаний, бегущих по жидкому гелию. [40]
Изолированные ионные состояния под действием теплового возбуждения будут хаотически перемещаться по кристаллу ( дырки по донорам, электроны по акцепторам), а при приложении электрического поля приобретут направленное движение, приводя к прохождению тока через кристалл. [41]
При повышении температуры увеличивается количество тепловых возбуждений атомов и происходит усиленное образование обоих видов носителей заряда. В результате взаимодействия этих процессов в полупроводнике устанавливается динамическое равновесие. [42]
Первый член не относится к тепловому возбуждению. Таким образом, оказывается, что при достаточно высокой температуре средняя энергия, приходящаяся на одно колебание, равна б независимо от частоты. [43]
Свободная энергия активации процесса обеспечивается тепловым возбуждением и равна разности свободных энергий конечного и начального состояния. [44]
Обозначим число пар, созданных тепловым возбуждением за 1 сек. Ясно, что g0 зависит только от свойств полупроводника и температуры. Когда концентрация носителей отличается от равновесной, то процессы тепловой генерации уже не уравновешивают процесс рекомбинации и избыточное число пар, гибнущих за 1 сек. [45]