Увеличение - концентрация - носитель - заряд
Cтраница 1
Увеличение концентрации носителей заряда может привести к тому, что на зависимости тока от напряжения I f ( U) появится участок отрицательного дифференциального сопротивления. [1]
В результате увеличения концентрации носителей заряда во всей i-области ее сопротивление сильно уменьшается. [2]
К при увеличении концентрации носителей заряда; при этом форма кривой все более соответствовала экспоненциальной зависимости ( разд. [3]
 |
Энергетические уровни сво-электронов и дырок. [4] |
Ясно, что с увеличением концентрации парных носителей зарядов вероятность их рекомбинации увеличивается, и при некоторой их концентрации наступает термодинамическое равновесие, при котором число генерируемых в единицу времени пар электрон - дырка оказывается равным числу рекомбинирующих в это время пар электрон - дырка. [5]
Наконец, в сильных полях возможно - увеличение концентрации носителей заряда за счет инжекции электронов с металла электродов и ударной ионизации ускоренными электронами. [6]
Как правило, рсо резко уменьшается при увеличении концентрации носителей заряда в полупроводнике и возрастает при понижении температуры. [7]
 |
Структура электрического домена.| Энергети ческие зоны полупроводника в сильном электрическом поле. [8] |
Увеличение электропроводности твердого тела в сильных полях связано с увеличением концентрации носителей заряда. При полях, напряженность которых превышает 107 В / м, электроны проводимости приобретают энергию, достаточную для ионизации атомов. В результате ионизации образуются электронно-дырочные пары, которые ускоряются полем до высоких энергий и тоже могут ионизовать атомы. Таким образом, концентрация свободных носителей лавинообразно нарастает. [9]
 |
Структура электроакустического усилителя на поверхностных волнах ( а и вид преобразователя ( пр сверху ( б. [10] |
В / см. С ростом частоты рассеиваемая мощность увеличивается вследствие увеличения концентрации носителей заряда, необходимой для усиления. По этим причинам ЭАУ на объемных волнах в настоящее время работают только в импульсном режиме. [11]
 |
Спектр поглощения полупроводника. [12] |
Рассмотренные механизмы собственного и примесного поглощения в полупроводниках приводят к увеличению концентрации носителей заряда. Такое поглощение называют фотоактивным. В полупроводниках, однако, может протекать ряд процессов поглощения, которые не сопровождаются увеличением концентрации фотоносителей. [13]
Уменьшение сопротивления термисторов, выполненных на основе монокристаллических полупроводников, объясняется увеличением концентрации носителей зарядов за счет ионизации примесных и собственных атомов при увеличении температуры. Для поликристаллических окисных полупровбдни-ков характерны наличие незаполненных электронных оболочек и переменная валентность. Электропроводность их в основном определяется подвижностью носителей зарядов. [14]
При освещении полупроводника в нем возможно перераспределение электронов по энергетическим состояниям и увеличение концентрации носителей заряда. Это явление называют внутренним фотоэффектом. Рассмотрим механизмы генерации носителей заряда. Под действием света электрон может перейти из валентной зоны в зону проводимости. В процессе взаимодействия фотона с электроном энергия фотона целиком передается электрону. Энергия фотона передается электрону в виде кинетической энергии. Механизм возникновения в полупроводнике в результате оптического возбуждения равного числа носителей зарядов обоих знакоз называют биполярной световой генерацией. В полупроводнике - типа возможен переход электронов с примесных уровней в зону проводимости. В полупроводнике р-типа фотоны возбуждают переходы электронов из валентной зоны на уровень акцепторов. [15]
Страницы: 1 2 3 4