Увеличение - концентрация - носитель - заряд
Cтраница 2
Уменьшение сопротивления полупроводника с увеличением температуры может быть обусловлено разными причинами - увеличением концентрации носителей заряда, увеличением их подвижности или фазовыми превращениями полупроводникового материала. [16]
 |
Изменение состава манганозита МпОя с изменением Ро в газовой фазе. [17] |
Уменьшение сопротивления закиси марганца при возрастании температуры от 20 до 800 С является следствием увеличения концентрации носителей заряда. [18]
Другой причиной возникновения максимума в спектре возбуждения ЭПР хлоропластов при 720 нм может служить побочный эффект увеличения концентрации носителей заряда, обычно наблюдаемый в толстых слоях органических красителей-полупроводников. В результате повышенной рекомбинации [30,31] происходит уменьшение эффекта в максимуме полосы поглощения исследуемого образца и его увеличение в спектральных участках, соответствующих спаду полосы поглощения со стороны длинных и коротких волн. [19]
В халькогенидах европия и некоторых других материалах имеют место повышение точки Кюри и изменение намагниченности с увеличением концентрации носителей заряда. [20]
Уменьшение сопротивления полупроводника с увеличением температуры ( отрицательный температурный коэффициент сопротивления) может быть вызвано разными причинами - увеличением концентрации носителей заряда, увеличением интенсивности обмена электронами между ионами с переменной валентностью или фазовыми превращениями полупроводникового материала. [21]
В области очень сильных электрических полей ( в полях более Ю5 В / см) проводимость начинает возрастать из-за увеличения концентрации носителей заряда, что связано с ударной ионизацией полупроводника. Это происходит, если носитель заряда набрал энергию, достаточную для разрыва валентной связи - - составляющую примерно 1 5 § о - В процессе ударной ионизации электрон из валентной зоны переводится в зону проводимости, а в валентной зоне остается дырка. После акта ионизации ионизирующий носитель также должен остаться в свободном состоянии. Количественно интенсивность ударной ионизации характеризуется коэффициентом ударной ионизации носителей заряда. Он определяется числом электронно-дырочных пар, образуемых носителями заряда на единице пути их движения, в направлении электрического поля в пересчете на один носитель. [22]
При увеличении концентрации основных носителей заряда в полупроводнике скорость поверхностной рекомбинации сначала увеличивается, а затем остается постоянной и примерно равной скорости тепловой рекомбинации. Увеличение концентрации носителей заряда вблизи поверхности кремния приводит к постепенной нейтрализации ловушек поверхностной рекомбинации и соответственно к уменьшению скорости поверхностной рекомбинации. [24]
Обратимые изменения, как правило, являются следствием ионизационных процессов, протекающих в материалах и окружающей среде. Они проявляются в увеличении концентрации носителей заряда, приводящей к возрастанию тока утечки по поверхности и повышению проводимости материалов, и являются следствием перехода электронов или дырок в неравновесное состояние. Ввиду относительно большой подвижности электронов и дырок: равновесное состояние обычно быстро восстанавливается1 после прекращения воздействия ионизирующего излучения. [25]
Барьерная фотоэдс определяется изменением изгиба зон в результате увеличения концентрации носителей заряда светом; ее величина является сложной функцией изгиба зон в полупроводнике, свойств поверхностных электронных состояний и величины тока через поверхность электрода. [26]
 |
Ударная ионизация в электронном германии при Т 4 2 К. [27] |
Резкое возрастание проводимости в электрическом поле носит название эффекта Пуля. Возрастание проводимости по экспоненциальному закону, как правило, связано с увеличением концентрации носителей заряда. Рост концентраций обусловливается рядом причин. [28]
Имеются сообщения о наблюдении изменений магнитной проницаемости и направления оси анизотропии в некоторых магнитных полупроводниках под воздействием света. В халькогенидах европия и некоторых других материалах имеют место повышение точки Кюри и изменение намагниченности с увеличением концентрации носителей заряда. [29]
 |
Зависимость термо-э. д. с. соединений. [30] |
Страницы: 1 2 3 4