Увеличение - концентрация - носитель - заряд
Cтраница 3
Это означает, что у этих соединений в жидком состоянии в широком диапазоне температур сохраняются ковалентные связи, постепенно разрушающиеся при нагреве. Резкий скачок электропроводности при плавлении и нагреве рассматриваемых соединений в узком температурном интервале выше точки плавления, по-видимому, связан с увеличением концентрации носителей заряда, а также с возможным увеличением их подвижности. [31]
Электрический пробой, вызванный чрезмерным возрастанием напряженности электрического поля в переходе. Обратный ток при электрическом пробое перехода возрастает потому, что электрическое поле большой напряженности вырывает электроны из ковалентных связей, а это приводит к увеличению концентрации носителей заряда в переходе. [32]
Фоторезистивный эффект ( внутренний фотоэлектрический эффект) - это изменение удельного сопротивления полупроводника, обусловленное исключительно действием электромагнитного излучения ( квантов света) и не связанное с нагреванием полупроводника. Сущность этого явления состоит в том, что при поглощении квантов света с энергией, достаточной для ионизации собственных атомов полупроводника или ионизации примесей, происходит увеличение концентрации носителей заряда. В результате увеличения концентрации носителей уменьшается удельное сопротивление полупроводника. [33]
В большинстве областей применения полупроводников используется туннелирование носителей через тонкий потенциальный барьер, образующийся в сильно легированном слое полупроводниковой подложки. Теория этого процесса является в определенной степени простым обобщением теории термоэлектронно-полевой эмиссии. При увеличении концентрации носителей заряда наблюдаются как понижение барьера ДФ, под влиянием сил изображения, так и уменьшение его толщины, однако последний эффект выражен более ярко, поэтому уменьшение рсй обусловлено в основном туннелированием носителей зар яда. [34]
Фоторезистивный эффект - это изменение электрического сопротивления полупроводника, обусловленное исключительно действием оптического излучения и не связанное с его нагреванием. Для возникновения фоторезистивного эффекта необходимо, чтобы в полупроводнике происходило либо собственное поглощение оптического излучения или фотонов с образованием новых пар носителей заряда, либо примесное поглощение с образованием носителей одного знака при возбуждении однотипных дефектов. В результате увеличения концентрации носителей заряда уменьшается сопротивление полупроводника. [35]
Закон Ома для полупроводников выполняется лишь в том случае, если концентрация носителей щ не зависит от напряженности поля. В / м), закон Ом-а нарушается, что связано с изменением энергии электрона в атоме и снижением энергии перевода в зону проводимости, а также с возможностью ионизации атомов решетки. Оба эффекта вызывают увеличение концентрации носителей заряда. [36]
Если диод находится при нулевом смещении и цепь постоянного тока замкнута, то при воздействии СВЧ мощности возникает выпрямленный ток. Появление этого тока обусловлено инжекцией носителей заряда в i-область в течение прямого полупериода напряжения. Протекание выпрямленного тока вызовет увеличение концентрации носителей заряда в / - области и, следовательно, уменьшение сопротивления R. Этот эффект прогрессирует по мере увеличения мощности. [37]
 |
Типичные вольтамперные характеристики. [38] |
На рис. 4.3 показаны типичные вольтамперные характеристики германиевого диода. При увеличении прямых напряжений последовательное сопротивление в диоде начинает падать вследствие увеличения концентрации носителей заряда, поступающих из p - n - перехода. Германий, применяемый для изготовления диодов, обычно имеет диффузионную длину, большую, чем толщина пластинки полупроводника, а потому инжектированные носители сильно уменьшают ее сопротивление. [39]
 |
Зависимость термо - э. д. с. теллуридов германия и олова в твердом и жидком состояниях от температуры. [40] |
Характер скачка при плавлении сульфида свинца аналогичен наблюдавшемуся А. Р. Регелем [3] для селенида ртути. Что касается остальных соединений данной группы, то нам представляется более вероятной возможность образования цепочечной структуры типа - А - В - А - В - с образованием носителей заряда на концах цепочек. Рост электропроводности при плавлении соединений AIVBVI ( исключая PbS) свидетельствует об увеличении концентрации носителей заряда, поскольку едва ли можно ожидать увеличения подвижности при переходе к значительно более дефектной структуре, которой отличается расплав от кристалла. [41]
Полученные данные свидетельствуют о протекании двух различных процессов во время облучения-сшивания и деструкции макромолекул полимера. Небольшая доза облучения способствует протеканию сшивания, структурированию линейного полимера, снижению подвижности макромолекул и благодаря этому снижению подвижности носителей заряда ионного типа и величины у. Дальнейший рост дозы облучения при экспозиции более 30 мин приводит к развитию процессов деструкции, увеличению концентрации ионных носителей зарядов за счет продуктов, образующихся при окислении и деструкции. В результате наблюдается рост абсолютных значений электропроводности. Экспозиция образцов ПВЦГ более 180 мин приводит к нарастанию хрупкости и разрушению пленок. Следует отметить, что рост кристалличности изотактического ПВЦГ при отжиге образцов вызывает снижение у подобно тому, как это происходит при кратковременном облучении. [42]
 |
Осциллограмма тока коллектора при коротком инжектирующем импульсе эмиттерного тока.| Схена установки для измерения дрейфовой поцвижно-сти неосновных носителей заряда. [43] |
Рассмотрим возможные способы регистрации неравновесных носителей заряда, дрейфующих в электрическом поле. Предположим, что в некоторой области образца в момент времени / 0 в результате инжекции возникли неравновесные носители заряда: электроны An и дырки Ар. Увеличение концентрации носителей заряда приводит к возрастанию удельной проводимости в той области образца, гд; An и Ар отличны от нуля. Если к образцу приложено внешнее напряжение и по нему протекает ток, то в результате инжекции происходит увеличение тока. Если, например, поперечное сечение однородного по удельному сопротивлению образца резко изменяется в некоторой точке х, то соответственно изменяется электричежое поле в этой точке. В момент времени, когда неравновесные носители заряда достигнут точки xi, произойдет изменение протекающего в цепи тока. Аналогичным образом изменяется ток в цепк при достижении неравновесными носителями заряда области с повышенным или пониженным удельным сопротивлением. Созданная в образце неоднородность удельного сопротивления или электрического поля позволяет регистрировать момент прихода неравновесных носителей заряда. [44]
 |
Дифференциальная термо - ЭДС образцов полиакри-лонитрила при различных температурах. [45] |
Страницы: 1 2 3 4