Увеличение - концентрация - носитель - заряд
Cтраница 4
В данном случае ( рис. 3.5) а0 уменьшается с ростом температуры. Если концентрация носителей не изменяется при нагревании, то должен происходить логарифмический рост OQ при увеличении температуры. На рис. 3.5 показано, что термо - ЭДС несколько уменьшается при увеличении температуры или же примерно постоянна. Рост электрической проводимости продуктов превращения ПАН при росте температуры обусловлен увеличением концентрации носителей заряда. [46]
 |
Зависимость Inpj. от 1 / 7 для диэлектрика с примесной электронной электропроводностью. [47] |
При толщине электрической изоляции 5 - - 10 мкм глубина приэлектродного слоя составляет 1 - 2 мкм. В органических и неорганических диэлектриках, используемых в технике, могут иметь место несовершенства структуры, такие, как примеси и дефекты. Электроны могут быть высвобождены из таких ловушек и переведены в зону проводимости нагревом, облучением светом, ионизирующим излучением, сильным электрическим полем. Такие механизмы генерации электронов и дырок обусловливают электронную электропроводность диэлектрика. Свободные электроны в сильных электрических полях могут образовываться и в результате ударной ионизации. Характерная зависимость удельного сопротивления диэлектрика с электронной электропроводностью показана-на рис. 5.7. На участке / уменьшение рг вызывается увеличением концентрации носителей заряда за счет ионизации ловушек. Этот участок называется областью примесной электропроводности. На участке 2, где все ловушки ионизированы, увеличение сопротивления обусловливается торможением носителей заряда при их взаимодействии с совершающими тепловые колебания частицами, из которых построен диэлектрик. Наконец, на участке 3 энергия, которую получает диэлектрик при нагреве, достаточна для ионизации собственных частиц. Поэтому концентрация носителей заряда снова начинает расти, теперь уже с большей скоростью, и сопротивление снова начинает уменьшаться. [48]
Страницы: 1 2 3 4