Увеличение - концентрация - примесь
Cтраница 1
Увеличение концентрации примеси приводит к повышению концентрации носителей заряда, что вызывает уменьшение расстояния между зоной энергии и уровнем Ферми. При некоторой концентрации примеси Л / ( кр) уровень Ферми совпадает с экстремумом энергии в зоне, эта концентрация Л ( кр) называется критической. Если концентрация примеси превосходит N ( Kp), то полупроводник становится частично или полностью вырожденным. [1]
 |
Плотность состояний и положение уровня Ферми в вырожденном ( а и дырочном ( б полупроводниках. [2] |
Увеличение концентрации примеси приводит к повышению концентрации носителей заряда, что вызывает уменьшение расстояния между зоной энергии и уровнем Ферми. При некоторой концентрации примеси Л КР уровень Ферми совпадает с экстремумом энергии в зоне. Концентрацию WKP называют критической. Если концентрация примеси превосходит yV ( KP, то полупроводник становится частично или полностью вырожденным. [3]
Увеличение концентрации примеси вызовет смещение уровня Ферми, а это может вызвать - перемену ролей между стадиями: роль лимитируюшей будет передана от одной стадии к другой, от донорной к акцепторной, или наоборот. [4]
Увеличение концентрации примесей снижает подвижность носителей заряда. [5]
Увеличение концентрации примеси приводит к образованию примесных димеров, тримеров и кластеров. В этих условиях локализованные в узлах волновые функции примесных молекул перекрываются друг с другом и между кластерами, создавая узкие примесные зоны внутри кластеров, а также виртуальные ( или, возможно, реальные) межкластерные примесные зоны, по которым может происходить миграция энергии. [6]
Увеличение концентрации примеси вызовет смещение уровня Ферми, а это может вызвать перемену ролей между стадиями: роль лимитирующей будет передана от одной стадии к другой, от донорной к акцепторной, или наоборот. [7]
Увеличение концентрации примеси перед фронтом кристаллизации приводит к снижению температуры ликвидуса. Фактическая температура 3 расплава, зависящая от сложившихся температурных условий кристаллизации, может быть ниже равновесной температуры 2, что вызывает переохлаждение 4 и обеспечивает возможность кристаллизации. [8]
 |
Катодный осадок никеля из. [9] |
Увеличение концентрации примесей в электролите значительно сказывается на загрязнении катодного осадка никеля. [10]
Увеличение концентрации примеси меди резко уменьшает амплитуды максимумов, смещая их в сторону низких температур. По-видимоиу, примеси образуют мелкие локальные состояния, при этой уменьшая деформационные дефекты, образованные за счет примесей, внедренных в межцепочечное пространство. [11]
Увеличением концентрации примесей в базовой области можно добиться уменьшения гб при неизменном / б, но при этом возникает опасность уменьшения коэффициента инъекции неосновных носителей f, а следовательно, и уменьшения а. Кроме того, увеличение электропроводности базовой области уменьшает ширину перехода ( см. § 58) и, следовательно, увеличивает Ск, хотя в итоге все же и) шах увеличивается. [12]
Причина увеличения концентрации примеси при очень малых смещениях в настоящее время не совсем ясна. Однако считают, что крутой спад концентрации примеси справа от максимума, наблюдаемого приблизительно при 20 В, свидетельствует о начале распыления примесей с поверхности тантала. Увеличение удельного сопротивления при высоких смещающих напряжениях объясняют ростом концентрации захваченных пленкой атомов аргона. Этот вопрос будет рассмотрен в следующем разделе. [14]
С увеличением концентрации примесей плотность воды возрастает. Морская вода с концентрацией солей 35 кг / м3 имеет среднюю плотность 1028 кг / м3 при 0 С. [15]
Страницы: 1 2 3 4