Увеличение - концентрация - примесь
Cтраница 3
Характерен факт увеличения концентрации примесей за отдельными поверхностями. [31]
По мере увеличения концентрации примесей в полупроводнике происходят следующие изменения в энергетической диаграмме. При увеличении концентрации донорной примеси уровень Ферми приближается к дну зоны проводимости. Из-за взаимодействия примесных атомов, при достаточно большой их концентрации, локальные уровни атомов примеси расщепляются и образуют примесную зону, которая при достаточной ее ширине может перекрываться с зоной проводимости. [32]
По мере увеличения концентрации примеси расстояние между примесными атомами уменьшается и их влияние друг на друга растет, вследствие чего вырождение постепенно снимается и единый уровень Ея расщепляется на подуровни, образуя примесную зону. Оценим концентрацию примеси NR, при которой начинается это расщепление. [33]
 |
Вольт-амперная характеристика туннельного диода. [34] |
По мере увеличения концентрации примесей расстояния между их атомами уменьшаются, что увеличивает взаимодействие между ними. Это приводит к расщеплению примесных уровней в примесную зону, которая может слиться с зоной проводимости для электронного полупроводника или валентной зоной для дырочного полупроводника. Такое слияние зон наступает при концентрации примеси около 2 - 1019 см-3 для германия и 6Х х К) 19 см-3 для кремния. Такие сильнолегированные полупроводники называются вырожденными и характеризуются тем, что уровень Ферми, вероятность заполнения которого равна половине, находится в разрешенных для проводимости зонах: зоне проводимости или валентной зоне. [35]
Таким образом, увеличение концентрации примесей в базе не только увеличивает емкость коллектора, но и ограничивает возможность работы при больших напряжениях на коллекторе. Емкость коллектора может быть уменьшена за счет уменьшения площади коллекторного перехода. Однако при этом снижаются допустимые токи и допустимые рассеиваемые мощности. [36]
Таким образом, увеличение концентрации примесей в базе не только увеличивает емкость коллектора, но и ограничивает возможность работы при больших напряжениях на коллекторе. Емкость коллектора можно уменьшить, уменьшив площадь коллекторного перехода, но при этом снижаются допустимые токи и допустимые рассеиваемые мощности. [37]
Эти изменения вызывают увеличение концентрации примесей неключевых компонентов в продуктах: компонент А присутствует в кубе в количестве 6 0 - 10 4 мол. Хотя эти концентрации много больше найденных в предыдущем примере, они вс & же настолько малы, что концентрации других компонентов в продуктах остаются неизменными. [38]
Здесь, наоборот, увеличение концентрации примесей, когда она настолько мала, что взаимодействием примесных атомов можно пренебречь, увеличивает работу ионизации. [39]
С точки зрения теплообмена увеличение концентрации примесей может привести к расслоению раствора с образованием слоя кислоты, насыщенной четырехокисью азота, к смещению линии насыщения, изменению вязкости и теплопроводности сложных растворов с участием продуктов коррозии, особенно в окрестности центров парообразования. При этом следует учитывать низкую термическую стойкость образующихся нитрокомплексов, гидратов, азотистой кислоты и других соединений, поэтому влияние указанных факторов в различных областях температур может быть неодинаковым. [40]
Величина параметра изменяется с увеличением концентрации примеси, увеличиваясь или уменьшаясь в зависимости от соотношения атомных радиусов растворенного вещества и растворителя. При переходе через границу растворимости величина параметра кристаллической решетки не изменяется. [41]
Подвижность носителей уменьшается с увеличением концентрации примесей, а следовательно, с уменьшением величины удельного сопротивления полупроводникового материала. [42]
Улл) - с увеличением концентрации примеси в базе диода относительная роль тока генерации также увеличивается. [43]
 |
Кривые растворимости для. [44] |
Более того, при увеличении концентрации примеси падение растворимости, например, может сменяться ее подъемом. Общие закономерности здесь не установлены. [45]
Страницы: 1 2 3 4