Увеличение - концентрация - примесь
Cтраница 4
Из этого соотношения следует, что с увеличением концентрации примеси логарифм в знаменателе уменьшается и значение критической температуры растет. Поэтому в сильно легированных полупроводниках переход к собственной проводимости может быть достигнут только при достаточно высоких температурах. [46]
Из рис. 7.9 видно, что с увеличением концентрации примеси угол наклона участка примесной проводимости уменьшается, что пол-ностью согласуется с кривыми рис. 6.7, а для концентрации носителей. У вырожденных полупроводников, у которых концентрация носителей заряда почти не зависит от температуры, угол наклона этого участка определяется зависимостью подвижности от температуры. [47]
Действительно, продолжительность процесса очистки возрастает с увеличением концентрации примеси хлористого аммония в деминерализуемом растворе. [48]
Для низковольтных стабилитронов с туннельным пробоем при увеличении концентрации примесей уменьшается толщина p - n - перехода, что и приводит к уменьшению пробивного напряжения и напряжения стабилизации. [50]
Из ф-л (9.4) и (9.5) следует, что увеличение концентрации до-норных примесей смещает уровень Ферми вверх относительно середины запрещенной зоны, а увеличение концентрации акцепторных примесей - вниз относительно середины запрещенной зоны. При концентрации примесей порядка 1019 см-3 уровень Ферми электронного полупроводника располагается внутри зоны проводимости, а уровень Ферми дырочного полупроводника - внутри валентной зоны. Наличие столь высокой концентрации примесей существенно уменьшает удельное сопротивление полупроводника, так что по своим электрическим свойствам он мало чем отличается от проводника. В связи с этим полупроводники, характеризующиеся высокой концентрацией примесей, называют вырожденными полупроводниками. [51]
Тогда удаление главного компонента из раствора ведет к увеличению концентрации примеси, что вызывает понижение температуры кристаллизации. Именно для такого типа растворов существует количественная связь понижения температуры с количеством имеющихся в системе примесей. Для соблюдения достаточной степени точности, количество примесей в растворе не должно превышать 3 мол. [52]
Как изменяется ширина обедненного слоя в кристалле с увеличением концентрации примесей. [53]
Из рис. 7.7 а видно, что с увеличением концентрации примеси угол наклона участка примесной - проводимости уменьшается. У вырожденных полупроводников, у которых концентрация носителей заряда почти не зависит от температуры, угол наклона этого участка определяется зависимостью подвижности от температуры. [54]
Подобная же инверсия каталитических свойств закиси никеля при увеличении концентрации примеси ( окиси лития) была обнаружена Хауффе, Глангом и Энгелем [59] при исследовании разложения закиси азота. Названные авторы показали, что препараты, прокаленные при 900 С и содержащие номинально 0 1 мол. Кажущаяся энергия активации при этом имеет минимум. [55]
Из рис. 8 - 4 видно, что с увеличением концентрации примесей в полупроводнике переход от участка а-6 ( или г-д), на котором концентрация носителей обусловлена примесями, к участку б-в ( или д-е), соответствующему истощению примесей, смещается в сторону высоких температур ( ср. [56]
 |
Спектры поглощения загрязненного InSb.| Спектры поглощения чистого InSb. [57] |
Благодаря малой эффективной массе электронов в антимониде индия с увеличением концентрации примесей быстро наступает вырождение электронного газа. Тогда уровень химического потенциала поднимается выше дна зоны проводимости, и все энергетические уровни в свободной зоне ниже уровня Ферми оказываются занятыми. [58]
Страницы: 1 2 3 4