Увеличение - концентрация - примесь
Cтраница 2
С увеличением концентрации примесей отдельные зоны возмущения сближаются, а затем заполняют весь объем кристаллической решетки. [16]
С увеличением концентрации примеси в базе толщина ОПЗ становится меньше длины свободного пробега носителей заряда, ударная ионизация при этом невозможна, и пробой р-п перехода будет происходить только за счет туннельного эффекта. [17]
С увеличением концентрации примесей в прилегающих к переходу областях плотность тока насыщения в соответствии с (3.2) должна уменьшиться. [18]
С увеличением концентрации примесей расстояние между ионами примеси уменьшается, и возникновение взаимодействия между ионами обусловливает расщепление уровней доноров и акцепторов в энергетические зоны конечной ширины. При столь высокой концентрации полупроводник переходит в вырожденное состояние - зона уровней доноров перекрывается с зоной проводимости, а зона уровней акцепторов - с валентной зоной. В вырожденном электронном полупроводнике зона проводимости оказывается заполненной электронами, а у дырочного полупроводника валентная зона заполнена дырками. [19]
С увеличением концентрации примесей в прилегающих к переходу областях плотность тока насыщения в соответствии с (3.2) должна уменьшиться. [20]
 |
Зависимость концентрации носителей п, от концентрации примесей N в случае образовании нейтральных ( 1 в заряженных ( 2 примесно - дефектных комплексов. [21] |
С увеличением концентрации примесей JV условия ( 1) и ( 2) нарушаются. U у одного из них, начинает испытывать воздействие со стороны соседних атомов. Смешение уровней зависит от взаимного расположения примесных атомов. Это проявляется в ушире-нии примесного уровня, наз. [22]
 |
Уменьшение ширины запрещенной зоны в вырожденном полупроводнике. [23] |
При увеличении концентрации примесей, расстояния между атомами примесей уменьшаются и происходит перекрытие электронных оболочек. Атомы взаимодействуют друг с другом, что ведет к расщеплению единого примесного уровня в примесную зону. Как следствие этого, ширина запрещенной зоны уменьшается. [24]
При увеличении концентрации примесей в полупроводнике сильно уменьшается подвижность носителей. Например, в кремнии подвижность электронов падает до 100 см2 / В-с. В германии и арсениде галлия подвижность выше, вследствие чего туннельные и обращенные диоды изготавливаются в настоящее время из них. [25]
При увеличении концентрации примесей уровни Ферми удаляются от середины запрещенной зоны и их разность, а значит, и сро увеличиваются. [26]
Наконец, увеличение концентрации примесей в алкилате наблюдается при повышении температуры, увеличении времени контакта и концентрации катализатора, при ухудшении перемешивания, изменении соотношения реагентов. Правда, влияние этих параметров различно. Например, при алкилировании бензола этиленом и пропиленом на А1С13 выход побочных продуктов зависит в большей степени от концентрации катализатора, чем от температуры. [27]
 |
Туннельный диод. [28] |
По мере увеличения концентрации примесей примесные уровни расширяются, и наступает такой момент, когда уровень у электронного полупроводника становится немного выше дна зоны проводимости, а уровень у дырочного полупроводника - немного ниже верха заполненной зоны. [29]
Страницы: 1 2 3 4