Увеличение - прямое напряжение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Опыт - это замечательная штука, которая позволяет нам узнавать ошибку, когда мы опять совершили ее. Законы Мерфи (еще...)

Увеличение - прямое напряжение

Cтраница 1


Увеличение прямого напряжения снижает высоту потенциального барьера, и последний перестает влиять на прямой ток, который течет через переход.  [1]

Увеличение прямого напряжения до десятков вольт приведет к резкому увеличению ( в 10 - 50 раз) прямого тока диода, так как вольтамперная характеристика диода в прямом направлении диода не имеет участка насыщения.  [2]

Увеличение прямого напряжения снижает высоту потенциального барьера, и последний перестает влиять на величину протекающего через переход прямого тока. Прямой ток диода будет при этом определяться лишь сопротивлением высокоомной базы и линейно зависеть от приложенного напряжения. Этот участок характеристики диода называется омическим и составляет в большинстве случаев основную ее рабочую область.  [3]

Для увеличения допустимых обратных и прямых напряжений в некоторых тиратронах вводится вторая экранирующая сетка, окружающая анод. Эти тиратроны получили название экранированных. В экранированных тиратронах имеется возможность менять положение характеристики зажигания в зависимости от потенциала экранирующей сетки.  [4]

5 Вольт-амперная характеристика туннельного диода. [5]

С увеличением прямого напряжения результирующий прямой ток возрастает, так как возрастает вероятность туннельного перехода электронов из п - в р-область, а вероятность обратного перехода электронов падает.  [6]

7 Вольт-амперная характеристика туннельного диода. [7]

При увеличении прямого напряжения ток начинает уменьшаться, так как свободные состояния в р - и - областях уменьшаются. Этому процессу соответствует участок 3 ( рис. 5.25) вольт-амперной характеристики.  [8]

При увеличении прямого напряжения на р-л-переходе высота его потенциального барьера уменьшается, что ведет к выравниванию концентраций носителей по обе стороны от p - n - перехода.  [9]

При увеличении прямого напряжения, приложенного к P - / V-переходу, поток электронов из jV - полупроводника в Р - полупровод-ник увеличится, а из Р в N - уменьшится; в результате этого будет происходить нарастание прямого туннельного тока, сила которого достигнет максимального значения / max при некотором значении напряжения UA. При изменении полярности источника питания на обратную туннельный ток изменит свое направление и по мере увеличения обратного напряжения будет линейно возрастать. Следовательно, односторонняя проводимость при туннельном эффекте отсутствует.  [10]

11 Вольт-амперная характеристика германиевого туннельного диода ГИ304А ( а и германиевого переключательного обращенного диода ГИ403А ( б. [11]

При увеличении прямого напряжения С / пр туннельный ток сначала возрастает. Затем условия, необходимые для возникновения туннельного эффекта, нарушаются и туннельный ток падает. При дальнейшем увеличении Unp туннельный ток исчезает и появляется прямой ток, соответствующий прямому току обычного диода. Таким образом, прямой ток туннельного диода представляет собой сумму двух токов: сначала нарастающего, а затем падающего до нуля при увеличении 1 / пр туннельного и обычного, связанного с инжекцией, диффузионного. В результате, на вольт-амперной характеристике появляется участок спада прямого тока.  [12]

При увеличении прямого напряжения, приложенного к р-л-переходу, поток электронов из и-полупроводника в р-полупроводник увеличится, а из р в я - уменьшится; в результате этого будет происходить нарастание прямого туннельного тока, величина которого достигнет максимального значения / макс при некотором значении напряжения U &. При изменении полярности источника питания Е на обратную туннульный ток изменит свое направление и по мере увеличения обратного напряжения будет линейно возрастать. Следовательно, односторонняя проводимость при туннельном эффекте отсутствует.  [13]

При увеличении прямого напряжения на p - n - переходе высота его потенциального барьера уменьшается, что ведет к выравниванию концентраций носителей по обе стороны от p - n - перехода.  [14]

При увеличении прямого напряжения высота потенциального барьера ик снижается и возрастают потоки основных носителей, поэтому полный ток i увеличивается. Ток, протекающий через пр-переход, при наличии прямого напряжения называется прямым током.  [15]



Страницы:      1    2    3    4    5