Увеличение - прямое напряжение
Cтраница 3
Избыточные концентрации неосновных носителей заряда на границах - - перехода ( Др, Апр) экспоненциально растут с увеличением прямого напряжения. [31]
 |
Вольт-амперные характеристики р-п-пере-хода ( сплошная кривая и полупроводникового диода ( пунктирная кривая. [32] |
Единицей в уравнении ( 4) можно пренебречь и считать, что прямой ток нарастает по экспоненте при увеличении прямого напряжения. [33]
Таким образом, при прямом смещении р-п перехода осуществляется инжекция неосновных носителей заряда и их концентрация экспоненциально возрастает с увеличением прямого напряжения. Выражения (1.97) и (1.98) называются граничными условиями для неосновных носителей заряда или условиями Шокли. [34]
 |
Вольтамперная характеристика р-п перехода с туннельным эффектом. [35] |
Увеличение прямого напряжения, с одной стороны, приводит к увеличению туннельного тока, а с другой - уменьшает напряженность электрического поля в р-п переходе. [36]
 |
Схема ( а и характеристики ( б магнитного усилителя с внутренней положительной обратной связью по току нагрузки. [37] |
У неуправляемых вентилей ( диодов) при малых значениях прямых токов ( от р к n - слою) вентиль имеет достаточно высокое сопротивление. При увеличении прямого напряжения сопротивление вентиля резко уменьшается, а сила тока возрастает до значений, определяемых сопротивлением нагрузки. При изменении полярности приложенного напряжения через вентиль течет обратный ток, сила которого не превышает 10 - 3 - 10 - 6 номинального прямого тока. При некотором обратном напряжении, называемом пробивным, сила обратного тока резко возрастает и наступает необратимый пробой вентиля. Если диоды включены последовательно, то, чтобы выравнять обратные напряжения на них, параллельно каждому диоду включают резистор: сила тока, протекающего через него, в 3 - 4 раза больше силы обратного тока диода. [38]
При увеличении прямого напряжения на электронно-дырочном переходе высота потенциального барьера уменьшается, что ведет к выравниванию концентраций носителей по обе его стороны. [39]
Величина AQII45 пропорциональна заштрихованной площади между двумя графиками распределения концентрации неосновных носителей в базе диода, представленными на рис. 10.12. График / соответствует некоторому прямому напряжению иь график 2 - напряжению и Аи. При увеличении прямого напряжения избыточная концентрация электронов в сечении хр возрастает, как установлено выше, по экспоненциальному закону, следовательно, и диффузионная емкость увеличивается примерно по экспоненциальному закону. [40]
При этом обратный ток / Osp остается почти без изменения. По мере увеличения прямого напряжения величина общего тока / пр - / Об возрастает по экспоненциальному закону. [42]
 |
Влияние температуры на вольт-амперную характеристику германиевого ( а и кремниевого ( б диодов. [43] |
У кремниевых диодов из-за относительно малого значения тока / о прямой ток на начальном участке характеристики также оказывается малым. Однако при увеличении прямого напряжения быстро возрастающий экспоненциальный член выражения приводит к тому, что на вольт-амперной характеристике кремниевых диодов наблюдается относительно резкий излом при переходе от малых к большим значениям прямого тока. [44]
Селеновые вентили имеют ряд отрицательных эксплуатационных свойств. Старение вентилей заключается в увеличении прямого напряжения при длительной эксплуатации или хранении. Этот лроцесс является необратимым, причем старение тем сильнее проявляется, чем выше рабочая температура. При нормальной рабочей температуре старение слабо проявляется в течение срока службы, составляющего 10 - 20 тысяч часов. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5