Увеличение - прямое напряжение
Cтраница 4
Значительное отступление от теоретической зависимости наблюдается при увеличении прямого напряжения ( U рт), когда ток через переход начинает ограничиваться не сопротивлением перехода, а сопротивлением толщи р - и гс-областей полупроводника, и при больших обратных напряжениях ( - Е / обр1 Фт) когда наблюдается резкое возрастание обратного тока и пробой перехода. [46]
Между точками Л и В расположен участок вольт-амперной характеристики с отрицательным сопротивлением Верхняя точка этого участка ( точка В) характеризует состояние подхвата включенного состояния. При достижении этой точки дальнейшее увеличение тока вызывает увеличение прямого напряжения. Величина тока / в соответствующего точке В вольт-амперной характеристики, называется током включения. Величина тока включения имеет большое значение - при расчете схем, работающих на индуктивную нагрузку, ь этом случае длительность управляющего сигнала должна быть достаточной для того, чтобы за время его действия прямой ток тиристора успел возрасти до величины тока, включения. [47]
 |
Схематическое устройство ( а и внешний вид некоторых плоскостных диодов ( б. [48] |
Прямая ветвь идет круто вверх, как бы прижимаясь к вертикальной оси. Она характеризует быстрый рост прямого тока через диод с увеличением прямого напряжения. Обратная же ветвь, как видишь, идет почти параллельно горизонтальной оси, характеризуя медленный рост обратного тока. [49]
 |
Структура точечного. [50] |
Для получения достаточно больших значений пробивного напряжения p - n - перехода исходный полупроводниковый материал должен иметь большое удельное сопротивление. Но при этом будет велико и сопротивление растекания ( сопротивление базы точечного диода), что приведет к увеличению прямого напряжения на диоде. [51]
 |
Структура точечного. [52] |
Для получения достаточно больших значений пробивного напряжения р-л-перехода исходный полупроводниковый - материал должен иметь большое удельное сопротивление. Но при этом будет велико и сопротивление растекания ( сопротивление базы точечного диода), что приведет к увеличению прямого напряжения на диоде. [53]
Основной особенностью вольт-амперной характеристики туннельного диода является то, что при подаче прямого напряжения, превышающего l / д, прямой туннельный ток начинает резко убывать до некоторого минимального значения / min. Увеличение прямого напряжения, с одной стороны, приводит к увеличению туннельного тока, а с другой - уменьшает напряженность электрического поля в P - jV - переходе, поэтому при некотором значении прямого напряжения UB, когда напряженность электрического поля в P - jV - переходе резко снижается, туннельный ток прекращается и P - jV - переход приобретает обычные свойства, связанные с прохождением через него диффузионного тока, как это показано на рис. 18, б, совмещением двух характеристик. После напряжения UB участок характеристики / туннельного диода, соответствующий полному току P - jV - перехода, совпадает с характеристикой 2 диффузионного тока обычного диода. [54]
Ua, прямой туннельный ток начинает резко убывать до некоторого минимального значения / МИн. Увеличение прямого напряжения, с одной стороны, приводит к увеличению туннельного тока, а с другой - уменьшает напряженность электрического поля в р-л-переходе. После напряжения Ub участок характеристики / туннельного диода, соответствующий полному току р-л-перехода, совпадает с характеристикой 2 диффузионного тока обычного диода. [55]
Основная особенность вольт-амперной характеристики п - - перехода с туннельным эффектом состоит в том, что при подаче прямого напряжения, превышающего Ut, прямой туннельный ток начинает резко убывать до некоторого минимального значения / мип. Увеличение прямого напряжения, с одной стороны, приводит к увеличению туннельного тока, а с другой - уменьшает нанр-яженность электрического поля в р - - переходе. Поэтому при некотором значении прямого напряжения U2, когда напряженность электрического поля в р - я-переходе резко снижается, туннельный ток прекращается, ар - - переход приобретает обычные свойства, связанные с прохождением через него диффузионного тока ( на ряс. [56]
 |
Многосекционная модель Линвилла для диода.| Пространственный заряд р-га-перехоца. [57] |
Емкость Сь, показанная на рис. 4.18, является барьерной емкостью р - - перехода. Толщина слоя пространственного заряда р-п-перехода зависит от величины и направления напряжения на переходе. С увеличением прямого напряжения от нуля до некоторого значения толщина этого слоя уменьшается. При увеличении обратного напряжения р-п-переход расширяется. Барьерная емкость определяется как отношение изменения пространственного заряда к изменению напряжения. [58]
 |
Типичные вольтамперные характеристики. [59] |
На рис. 4.3 показаны типичные вольтамперные характеристики германиевого диода. При увеличении прямых напряжений последовательное сопротивление в диоде начинает падать вследствие увеличения концентрации носителей заряда, поступающих из p - n - перехода. Германий, применяемый для изготовления диодов, обычно имеет диффузионную длину, большую, чем толщина пластинки полупроводника, а потому инжектированные носители сильно уменьшают ее сопротивление. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5