Увеличение - прямое напряжение
Cтраница 2
При увеличении прямого напряжения, приложенного к р-л-переходу, поток электронов из и-полупроводника в р-полупроводник увеличится, а из р в я - уменьшится; в результате этого будет происходить нарастание прямого туннельного тока, величина которого достигнет максимального значения / макс при некотором значении напряжения U &. При изменении полярности источника питания Е на обратную туннульный ток изменит свое направление и по мере увеличения обратного напряжения будет линейно возрастать. Следовательно, односторонняя проводимость при туннельном эффекте отсутствует. [16]
При увеличении прямого напряжения, приложенного к р - - переходу, поток электронов из области п в область р увеличится, а из р в п - уменьшится. Если же изменить полярность источника на обратную, то туннельный ток изменит свое направление и по мере увеличения обратного напряжения будет линейно возрастать. [17]
При увеличении прямого напряжения на р-я-переходе высота его потенциального барьера уменьшается, что ведет к выравниванию концентраций носителей по обе стороны от p - n - перехода. [18]
 |
Условное обозначение полупроводникового диода и вольт-амперная характеристика диодов. [19] |
По мере увеличения прямого напряжения толщина запирающего слоя уменьшается, и прямой ток может возрасти до весьма больших значений. Ток, создаваемый неосновными носителями заряда, будет мал и направлен в обратном направлении. [20]
При больших скоростях увеличения прямого напряжения тиристор может включиться без подачи импульса управления при напряжении, значительно меньшем статического напряжения переключения. Самопроизвольное включение тиристора обычно приводит к аварийному режиму в преобразователе. [21]
Этот ток возрастает с увеличением прямого напряжения. [22]
Из выражений (2.18) следует, что с увеличением прямого напряжения концентрации электронов в дырочной и дырок в электронной областях увеличиваются по экспоненциальному закону. [23]
Как видно из формулы (16.10), при увеличении прямого напряжения ток может возрасти до больших значений, так как он обусловлен движением основных носителей, концентрация которых в обеих областях полупроводника велика. [24]
Кб Ii-Rele, 1.27), уменьшение напряжения Rsle вызывает увеличение прямого напряжения U, приложенного к переходу, , и базового тока. Следовательно, рабочая точка смещается вверх по входной динамической характеристике. [25]
Для схемы с последовательной коммутирующей LjC-цепью ха рактерны высокие скорости увеличения прямого напряжения на си ловом и вспомогательном тиристорах. [26]
Из вольт-амперных характеристик ( рис. 13) и приведенных формул видно, что при увеличении прямых напряжений прямые статические и динамические сопротивления уменьшаются, так как нарастание тока идет быстрее нарастания напряжения, а при увеличении обратных напряжений обратные сопротивления возрастают. [27]
Чем больше напряжение U БЭ, тем больше ток базы, так как при увеличении прямого напряжения на эмиттерном переходе снижается потенциальный барьер. Преодолеть его в этом случае может большее число основных носителей заряда эмиттера ( дырок), и большее число их сможет рекомбинировать с электронами базы. Рекомбинационная составляющая тока базы, являясь частью тока эмиттера ( хотя и незначительной), определяет характер входной характеристики, который близок к характеру входной характеристики для схемы с ОБ. [28]
Из вольт-амперных характеристик ( рис. 27) и приведенных формул видно, что при увеличении прямых напряжений прямые статические и динамические сопротивления уменьшаются, так как нарастание тока идет быстрее нарастания напряжения, а при увеличении обратных напряжений - обратные сопротивления возрастают. [29]
 |
Прямое включение симметричного р-л-переходя. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5