Увеличение - пробивное напряжение
Cтраница 1
Увеличение пробивного напряжения пропитанной бумажной изоляции при постоянном напряжении обусловлено следующими особенностями ее работы. [1]
Увеличение пробивных напряжений и тепловой нагрузки электродов свечей в современных мощных газовых двигателях существенно уменьшает моторесурс свечей из-за повышенного эрозионного износа их электродов. [2]
Увеличение пробивного напряжения разрядника повышает надежность работы и стабильность напряжения срабатывания искрового промежутка; при малых зазорах пробивное напряжение может со временем уменьшиться. [3]
Увеличение пробивного напряжения газовой изоляции в электрических устройствах может быть достигнуто применением газов с повышенной электрической прочностью. Известно, что ряд газов обладает прочностью более высокой, чем воздух. В табл. 2 приведены относительные электрические прочности некоторых газов. [4]
 |
Вольтамперные характеристики плоскостного и точечного диодов. [5] |
Такой механизм объясняет увеличение пробивного напряжения с ростом температуры. [6]
Повышение давления способствует увеличению пробивного напряжения, а под вакуумом оно ниже, чем при атмосферном давлении. [7]
Какая форма электродов способствует увеличению пробивного напряжения и почему. [8]
 |
Зонная структура солнечных гетерофотоэлемснтов. а - структура с промежуточным варизонным слоем. б - структура с промежуточным преобразованием КВ-света в люминесцентное. [9] |
В выпрямительных полупроводниковых диодах для увеличения пробивных напряжений требуется увеличение толщины слаболегир. Это приводит к возрастанию потерь при протекании тока в прямом направлении из-за роста падения напряжения на базе. В гетеродиодах с плавными гетеропереходами низкое падение напряжения на базе Лг достигается благодаря увеличению L в тянущем поле. [10]
Для уменьшения токов утечки и увеличения пробивных напряжений между изолированными областями наряду с разделительной диффузией / - типа часто применяется диффузия меньшей концентрации р-тапа, с помощью которой создаются базы п-р - п транзисторов. Реализуются также р-п - р транзисторы с выводом коллектора на подложку. [11]
Следует отметить, что для увеличения пробивного напряжения на эмиттерном переходе у высокочастотных транзисторов, полученных на основе диффузионной технологии, в приэмиттерной области базы наращивается эпи-таксиальная пленка. Наличие высокоомной пленки помимо увеличения пробивного напряжения создает тормозящее поле, что делает невозможным применение такого транзистора при режимах микротоков. Поэтому с точки зрения эффективной работы транзистора в режимах микротоков наиболее перспективны микросплавные и планарные транзисторы. [12]
Интересной особенностью кремниевых диодов является увеличение пробивного напряжения с ростом температуры. Это объясняется тем, что пробой в кремнии определяется процессом лавинного умножения. [13]
Повышение температуры образца обычно приводит к увеличению пробивного напряжения. Это обстоятельство может быть использовано для дискриминации механизмов ударной ионизации и туннелирования, поскольку последнее от температуры зависит слабо. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5