Увеличение - пробивное напряжение
Cтраница 3
Зазор между электродами респределителя не регулируется; величина зазора и допуска на него должна исключить: а) возможность задевания подвижного электрода за неподвижные при износе валика и подшипников ( втулок) распределителя и б) чрезмерное увеличение этого зазора, что привело бы к увеличению пробивного напряжения; исходя из этого, зазор в распределителе обычно устанавливают 0 6 0 2 мм. При наличии же радиостанции для уменьшения помех зазор в распределителе должен быть минимальным. [31]
Электрические параметры выпрямительных мостов, вари-сторов, полупроводниковых СВЧ диодов представлены в форме таблиц и расположены для удобства пользования по мере возрастания предельного постоянного ( среднего) выпрямительного тока - для выпрямительных мостов, максимального постоянного напряжения - для варисторов, по увеличению непрерывной выходной мощности - для умножительных и генераторных диодов, по увеличению общей емкости - для настроечных диодов, по увеличению пробивного напряжения - для переключательных и ограничительных диодов, по увеличению пикового тока - для туннельных диодов. [32]
 |
Схема триода с двухслойной базой. [33] |
В такой конструкции удачно разрешается задача одновременного снижения сопротивления базы и емкости коллектора. Одновременно до-стигается увеличение пробивного напряжения коллекторного перехода. Для получения малых значений времени диффузии носителей тока через базу приложенное к коллектору напряжение должно быть достаточно большим, чтобы область объемного заряда заняла почти весь слой с повышенным сопротивлением. [34]
Следует отметить, что для увеличения пробивного напряжения на эмиттерном переходе у высокочастотных транзисторов, полученных на основе диффузионной технологии, в приэмиттерной области базы наращивается эпи-таксиальная пленка. Наличие высокоомной пленки помимо увеличения пробивного напряжения создает тормозящее поле, что делает невозможным применение такого транзистора при режимах микротоков. Поэтому с точки зрения эффективной работы транзистора в режимах микротоков наиболее перспективны микросплавные и планарные транзисторы. [35]
Основными электрическими характеристиками являются: разрядное напряжение в сухом состоянии, определяемое в нормальных атмосферных условиях, и разрядное напряжение, определяемое под искусственным дождем. Пробивное напряжение может быть определено в масле или при импульсном напряжении вследствие увеличения пробивного напряжения воздуха при импульсах. Для увеличения напряжения и поверхностного сопротивления под дождем изоляторы для наружной установки снабжают большими ребрами - юбками, нижняя сторона которых даже под дождем остается сухой. [36]
С ростом температуры у этих вентилей наблюдается значительное возрастание обратного тока, сопровождаемое некоторым увеличением пробивного напряжения, а прямое падение напряжения уменьшается. [37]
В справочных данных обычно приводят график зависимости допустимого напряжения коллектора i / кэя от сопротивления R6, включенного в цепь базы ( рис. 4.30), позволяющий правильно выбрать режим транзистора. Заметим также, что включение сопротивления в цепь эмиттера, вызывающее появление отрицательной обратной связи, способствует увеличению пробивного напряжения. [38]
Во время первой стадии искры - короны у электродов образуется объемный заряд, который снижает напряженности электрического поля в приэлектродной зоне, что приводит к увеличению пробивного напряжения. [39]
Ю-7 к), мало отличается от пробивного напряжения. При этом необходимо учитывать некоторое различие в электрической прочности при воздействии импульсов различной формы и длительности: 1) повышение электрической прочности при коротких импульсах ( увеличение пробивного напряжения на Юч-20 % для срезанных импульсов тср 2 - ьЗ мксек по сравнению с полным импульсом 1 5 / 40 мксек); 2) понижение электрической прочности приблизительно на 15 % при колебательных импульсах по сравнению с апериодическими. [40]
С ростом температуры у всех типов диодов имеют место: снижение прямого падения напряжения ( см. рис. 2 в; 3 в и 4 в) при тех же прямых токах; значительное увеличение обратного тока, сопровождаемое некоторым увеличением пробивного напряжения у кремниевых и селеновых диодов. [41]
В однородном или сравнительно однородном поле действие тонкого барьера подобно действию покрытия. Увеличение пробивного напряжения обусловливается затруднением концентрации проводящих частиц в масле. [42]
Закрытые камеры со специальной откачкой применяются в тех случаях, когда присутствие воздуха совершенно недопустимо или ограничена возможность большого расходования газов. В простой схеме искры пробивное напряжение, наряду с расстоянием между электродами, определяет атмосфера газа, в котором горит искра. С увеличением пробивного напряжения температура плазмы повышается, что способствует более интенсивному возбуждению высоких энергетических уровней. [43]
Эти диоды характеризуются большой величиной пробивного напряжения и небольшим падением напряжения на базе. В обычных диодах увеличение пробивного напряжения достигается за счет расширения лр-перехода путем уменьшения проводимости полупроводника, однако при этом увеличивается падение напряжения на базе диода, что весьма нежелательно. [44]
Страницы: 1 2 3 4 5