Увеличение - пробивное напряжение
Cтраница 5
Если в жидких диэлектриках между электродами поместить барьер из твердого диэлектрика, то пробивное напряжение их обычно увеличивается. Особенно большое влияние барьеры оказывают в неоднородном поле, когда их помещают вблизи электродов, около которых поле наиболее сильное. В этом случае промежуток упрочняется. Увеличение пробивных напряжений при наличии барьеров можно объяснить тем, что последние задерживают развитие разрядов, начинающихся в местах с большими напря-женностями поля. [61]
 |
Расширение области объемного заряда изолирующего р-п перехода ИС.| Транзистор полупроводниковой ИС со скрытым слоем. [62] |
В результате напряжение смещения, приложенное между эмиттерным и базовым выводами транзистора, в центральной части эмиттерного перехода меньше, чем по кромкам эмиттера, расположенным близко к правому и левому выводам базы. Коэффициент инжекции эмиттера быстро спадает в направлении от края к центру эмиттера. Поэтому практически почти весь эмиттерный ток оттесняется к кромкам эмиттерного перехода. Как следствие эффекта оттеснения максимальное значение эмиттерного тока оказывается пропорциональным не площади эмиттера, а его периметру. Сопротивление коллектора гк определяется удельным сопротивлением материала коллекторной области и зависит от конструкции транзистора. В транзисторах со скрытым п - слоем сопротивление в цепи вывода коллектора может быть существенно уменьшено, однако в таких транзисторах для формирования коллекторной области используется значительно более высокоомный кремний, что необходимо для уменьшения паразитных емкостей коллектора относительно базы и подложки и увеличения пробивного напряжения перехода коллектор - база. Удельное сопротивление скрытого слоя лежит в пределах 5 - 20 Ом / квадрат. [63]
Страницы: 1 2 3 4 5