Увеличение - пробивное напряжение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Коэффициент интеллектуального развития коллектива равен низшему коэффициенту участника коллектива, поделенному на количество членов коллектива. Законы Мерфи (еще...)

Увеличение - пробивное напряжение

Cтраница 2


Для уменьшения рассеяния и межвитковой емкости, а также для увеличения пробивного напряжения обмотки в обеих конструкциях делят на ряд секций, соединяемых последовательно.  [16]

Электроизолирующие лаки применяются для пропитки волокнистой изоляции, что приводит к увеличению пробивного напряжения, уменьшению гигроскопичности, созданию изолирующей пленки на поверхности лакируемых предметов.  [17]

18 Проходной изолятор группы Б на 6 кв. [18]

Пробивное напряжение может быть определено в масле или при импульсном напряжении - в воздухе вследствие увеличения пробивного напряжения воздуха при импульсах. Для увеличения напряжения и поверхностного сопротивления под дождем изоляторы для наружной установки снабжают ребрами - юбками, нижняя сторона которых даже под дождем остается сухой. К изоляторам предъявляются и определенные механические требования; они характеризуются соответствующими разрушающими нагрузками.  [19]

20 Совмещенные катушка-свеча зажигания. [20]

Так как пробивное напряжение пропорционально межэлектродному зазору ( увеличение зазора на 0 1 мм приводит к увеличению пробивного напряжения примерно на 2 кВ), то срок службы свечи возрастает с уменьшением установочного зазора. В процессе эксплуатации свечей зазор между электродами постепенно увеличивается, соответственно увеличиваются пробивное напряжение и эрозия электродов. Однако уменьшение зазоров в свечах ухудшает условия пуска двигателя и способствует замыканию электродов посторонними частицами; в связи с этим для двигателя каждого типа имеется минимально допустимое значение межэлектродных зазоров в свечах. В современных газовых двигателях ПГПА установочный зазор в свечах зажигания равен в большинстве случаев 0 25 - 0 40 мм, а в некоторых конструкциях - до 0 15 мм.  [21]

Увеличение теплопроводности диэлектрика и теплоотдачи с его поверхности, характеризуемые коэффициентами с и к, приводит к увеличению пробивного напряжения. При улучшении теплоотвода нарушение теплового равновесия происходит при больших значениях тепловыделения, соответствующих более высоким значениям приложенного напряжения.  [22]

23 Искровый штатив ( бее крышки.| Интенсивные линии искр в области X 2400 Д. [23]

В соответствии с (10.16) существует общее правило - для получения более ярких искровых линий уменьшают индуктивность искрового контура и увеличивают искровой промежуток, что приводит к увеличению пробивного напряжения. При больших индуктивностях и малых искровых промежутках спектр искры напоминает дуговой. При очень малых искровых промежутках характерный треск искры прекращается и она переходит в шипящий высоковольтный дуговой разряд, дающий слабый и неустойчивый спектр.  [24]

25 Вольт-амперная характеристика ( а и внешний вид ( б диода. [25]

Для получения больших значении обратного напряжения ( в несколько сотен вольт) в базу силовых диодов обычно вносят малую дозу примеси, что приводит к расширению p - n - перехода и увеличению пробивного напряжения. Однако эта же мера приводит к уменьшению прямого допустимого тока из-за большого сопротивления базы.  [26]

Из формулы ( 4 - 96) видно, что если величиной паразитной индуктивности разрядного контура мож о пренебречь, то увеличить крутизну фронта можно за счет уменьшения длины искрового промежутка при постоянном пробивном напряжении или за счет увеличения пробивного напряжения при постоянной длине пробивного промежутка.  [27]

28 Эквивалентная схема. [28]

Для получения больших значений обратного напряжения ( в несколько сотен вольт) база выпрямительных диодов обычно изготовляется из полупроводникового материала с низкой концентрацией примеси, что приводит к расширению области пространственного заряда p - n - перехода и увеличению пробивного напряжения. Однако эта же мера приводит к уменьшению прямого допустимого тока из-за большого сопротивления базы.  [29]

Для получения большого значения обратного допустимого напряжения ( несколько сотен вольт) в базу силовых диодов вводят малую дозу примеси, что [ согласно ( 2 - 3) ] приводит к увеличению толщины р-п перехода и, следовательно, к увеличению пробивного напряжения. Вопрос обычно решают путем компромисса.  [30]



Страницы:      1    2    3    4    5