Увеличение - ток - эмиттер
Cтраница 1
Увеличение тока эмиттера можно объяснить, пользуясь диаграммой распределения концентрации дырок в базе, которая приведена на рис. II, в. Здесь прямая / соответствует напряжению UK6 О, а прямая 2 - обратному напряжению на коллекторном переходе порядка 0 1 В. При переходе от прямой / к прямой 2 увеличивается градиент концентрации дырок, а следовательно, и обусловленный им ток эмиттера. При дальнейшем повышении обратного напряжения на коллекторе ток эмиттера почти не изменяется, так как почти не изменяется градиент концентрации дырок в базе. [1]
Увеличение тока эмиттера приводит к увеличению тока коллектора, к увеличению падения напряжения на нагрузке, а следовательно, к понижению напряжения на коллекторе и сужению области объемного заряда. [2]
С увеличением тока эмиттера растет концентрация инжектированных носителей и R быстро уменьшается. [4]
 |
Схема с эмиттерной стабилизацией режима питания транзистора. [5] |
С увеличением тока эмиттера модуль напряжения база - эмиттер возрастает, а так как это напряжение минусом подается на базу транзистора, то сильнее препятствует возрастанию тока коллектора. Таким способом и осуществляется поддержание коллекторного тока на одном уровне. [6]
При увеличении тока эмиттера ток коллектора увеличивается при заданном напряжении на коллекторе. При 1Э - 0 через коллектор проходит обратный ток коллекторного перехода IКд который практически не зависит от напряжения на коллекторе. При напряжении на коллекторе, равном нулю, IK 0, так как ток эмиттера в этом случае не равен нулю. При прямом напряжении на коллекторном переходе ток с изменением напряжения резко меняется - транзистор работает в режиме насыщения. [7]
При увеличении тока эмиттера ток коллектора увеличивается при гаданном напряжении на коллекторе. При /, 0 через коллектор проходит обратный ток коллекторного перехода 1Ко, который практически не зависит от напряжения на коллекторе. При напряжении на коллекторе, равном нулю ( 1 / кБ 0), / к Ф 0, так как ток эмиттера в этом случае не равен нулю. При прямом напряжении на коллекторном переходе ( 1 / КБ 0) ток с изменением напряжения резко меняется - транзистор работает в режиме насыщения. [8]
При увеличении тока эмиттера рекомбинационные потери уменьшаются как вследствие увеличения скорости диффузии за счет полевого тока, так и из-за увеличения т с ростом концентрации неосновных носителей, которое имеет место в достаточно легированных образцах, где TOO тр. [9]
При увеличении тока эмиттера транзистора и уменьшении его коллекторного напряжения усиление каскада уменьшается, что обеспечивает необходимую глубину регулировки коэффициента усиления каскада при работе схемы АРУ. В цепь эмиттера включены блокировочный конденсатор 2С14 и конденсатор 2С15 развязывающего фильтра. [10]
До режима насыщения увеличение тока эмиттера приводит к увеличению тока коллектора. При насыщении дальнейшее увеличение тока эмиттера не вызывает увеличения коллекторного тока. [11]
В результате при увеличении тока эмиттера ток коллектора возрастает не только из-за прохождения через коллекторный переход носителей, инжектированных эмиттером, но и из-за экстракции неосновных носителей из более удаленных частей коллекторной области. [12]
Возрастание о при увеличении тока эмиттера вызвано, по-видимому, разбросом падения напряжения на базовом сопротивлении гг, ( рис. 1) при протекании базового тока. Непропорциональный рост сти при увеличении / э объясняется, по-видимому, модуляцией сопротивления базы из-за вытеснения тока к краям эмиттера. Разброс при малых токах эмиттера должен определяться разбросом прямого напряжения перехода эмиттер - база. Такой небольшой разброс напряжения для серийных транзисторов является неожиданным. Для разработчиков транзисторных схем открываются новые возможности использования транзисторов в схемах аналоговых и цифровых устройств. [13]
В результате при увеличении тока эмиттера ток коллектора возрастает не только из-за прохождения через коллекторный переход носителей, инжектированных эмиттером, но и из-за экстракции неосновных носителей заряда из более удаленных частей коллекторной области. [14]
Таким образом, при увеличении тока эмиттера от 100 до 300 мА тепловое сопротивление возросло почти в 2 раза. Следовательно, измерения Rt надо проводить в диапазоне таких токов эмиттера, при которых разогрев коллекторного перехода незначителен и горячие пятна отсутствуют. Использование малых токов и низких коллекторных напряжений при определении RT ограничивается точностью прибора, применяемого для измерения t / эб. Измерения при малых коллекторных напряжениях ( / кб-1 В) и больших токах также недопустимы, поскольку транзистор будет входить в режим насыщения. [15]
Страницы: 1 2 3 4