Увеличение - ток - эмиттер
Cтраница 2
В открытом состоянии у однопереходного транзистора увеличение тока эмиттера А / э вызывает уменьшение сопротивления базы и соответственно увеличение тока базы А / Б, при этом коэффициент передачи тока А / б / Д / э к [ 1 ( Щг / М - р) ] 1 может быть сделан больше единицы, где лп - подвижность электронов, определяющая ток базы; & р - подвижность дырок, в основном определяющая ток эмиттера. Наибольшим этот коэффициент оказывается у кремниевого однопереходного транзистора с базами, выполненными из полупроводника л-типа, так как для кремния отношение цп / № р оказывается наибольшим. [16]
В открытом состоянии у однопереходного транзистора увеличение тока эмиттера А / э вызывает уменьшение сопротивления базы и соответственно увеличение тока базы А / в, при этом коэффициент передачи тока Д / б / А / э - [ 1 ( ( Ап / м-р) ] 1 может быть сделан больше единицы, где цп - подвижность электронов, определяющая ток базы; лр - подвижность дырок, в основном определяющая ток эмиттера. Наибольшим этот коэффициент оказывается у кремниевого однопереходного транзистора с базами, выполненными из полупроводника / г-типа, так как для кремния отношение ЦП / ЦР оказывается наибольшим. [17]
Увеличение базового тока / б является следствием увеличения тока эмиттера. [18]
Смещение статических характеристик обратной связи вверх при увеличении тока эмиттера очевидно и не требует специального пояснения. [19]
На участке АБ кривой коэффициент усиления растет пропорционально увеличению тока эмиттера. Напряжение на коллекторе UK еще достаточно велико, и его изменение практически не влияет на коэффициент усиления. Изменение усиления на этом участке полностью определяется током эмиттера. [20]
 |
Статические характеристики транзистора, включенного по. [21] |
Как видно из рис. 29 а, с увеличением тока эмиттера характеристики сдвигаются вверх. Но когда величина напряжения UK6 приближается к нулю, ток 1 к начинает падать. [22]
Как видно из рис. 41, а, с увеличением тока эмиттера характеристики сдвигаются вверх. Но когда величина напряжения С / к-б приближается к нулю, ток 1К начинает падать. [24]
Напомним, что коэффициент передачи тока эмиттера транзистора возрастает с увеличением тока эмиттера в результате уменьшения рекомбинационной составляющей тока эмиттера ( уменьшения влияния рекомбинации в p - n - переходе эмиттера) и появления электрического поля в базе транзистора. Коэффициент передачи тока эмиттера также растет при увеличении напряжения на коллекторе из-за уменьшения толщины базы и увеличения коэффициента умножения в коллекторном переходе. Все эти процессы происходят и в тиристорной структуре при увеличении прямого напряжения. [25]
Напомним, что коэффициент передачи тока эмиттера транзистора возрастает с увеличением тока эмиттера в результате уменьшения влияния рекомбинации в p - n - переходе эмиттера и появления электрического поля в базе транзистора. Коэффициент передачи тока эмиттера также растет при увеличении напряжения на коллекторе из-за уменьшения толщины базы и увеличения коэффициента умножения в коллекторном переходе. Все эти процессы происходят и в тиристорной структуре при увеличении прямого напряжения. [26]
Смещение выходных статических характеристик вверх в выбранной системе координат при увеличении тока эмиттера соответствует принципу действия транзистора. [27]
Таким образом, в силу ряда причин коэффициент передачи тока транзистора с увеличением тока эмиттера сначала возрастает, а затем падает. Основной причиной спада коэффициента усиления является уменьшение коэффициента инжекции у из-за модуляции проводимости базы инжектированными носителями заряда. В мощных транзисторах этот спад происходит более резко из-за концентрации тока неосновных носителей в базе к краю амиттерного перехода. [28]
Формула для расчета диффузионной емкости коллектора (5.155) указывает на то, что с увеличением тока эмиттера она должна возрастать, причем зависимость будет несколько более слабой, чем прямая пропорциональность, из-за роста коэффициента диффузии при больших уровнях инжекции. Увеличение напряжения коллектора приводит к уменьшению диффузионной емкости. [29]
 |
Выходные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером ( а, и распределение концентрации дырок в области базы. [30] |
Страницы: 1 2 3 4