Увеличение - ток - эмиттер
Cтраница 3
Смещение выходных статических характеристик вверх происходит в соответствии с формулой (4.40) и связано с увеличением тока эмиттера при условии постоянства напряжения на коллекторе и увеличения тока базы. Необходимо отметить различное расстояние между выходными характеристиками по оси токов при равных приращениях тока базы. При малых токах базы кривые располагаются часто, при больших токах базы - редко, а затем опять часто. [31]
 |
Выходные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером ( а, и распределение концентрации дырок в области базы при пг стоянном токе базы ( б.. / кэ. 1. / кэ. [32] |
Смещение выходных статических характеристик вверх происходит в соответствии с формулой (4.40) и связано с увеличением тока эмиттера при условии постоянства напряжения на коллекторе и увеличения тока базы. [33]
Уменьшение усиления таких транзисторов на высокой частоте происходит за счет спада / Гр при увеличении тока эмиттера и уменьшении напряжения на коллекторе. В связи с этим они имеют резкую зависимость Кур От трка. Для зарубежных транзисторов, предназначенных для АРУ, часто указывается глубина регулировки усиления. Обычные транзисторы имеют достаточно слабую зависимость усиления от электрического режима. [34]
В схеме с общей базой положительное приращение напряжения на входе Л ( / вх вызывает увеличение тока эмиттера / э, что приводит к увеличению как тока коллектора / к, так и напряжения выхода At / вых, причем Ai / вых At / вх - В схеме с ОБ источник входного напряжения включен в цепь эмиттер - база, а нагрузка и источник питания - в цепь коллектор - база. Входное сопротивление схемы с ОБ мало ( несколько омов или десятков омов), так как эмиттерный переход включен в прямом направлении. Выходное сопротивление схемы, наоборот, велико ( сотни килоомов), так как коллекторный переход включен в обратном направлении. Малое входное сопротивление схемы с ОБ является существенным недостатком, ограничивающим применение ее в усилителях. Усиление по напряжению и мощности в этой схеме может достигать нескольких сотен. [35]
ЭБ const и увеличении КБ согласно равенству ( 3 - 13) возрастает, что и объясняет увеличение тока эмиттера и дополнительное веерообразное смещение влево эмиттер-ной статической характеристики транзистора. Характеристика при / к0 показана на рис. 3 - 10, а штриховой линией. [36]
Таким образом, еще задолго до Кирка [2] было найдено качественное объяснение спада предельной частоты IT при увеличении тока эмиттера. В статье Кирка спад предельной частоты усиления транзистора также связывается с эффектами, происходящими в коллекторном переходе транзистора при высоком уровне инжек-ции. [37]
Затем Вебстер рассмотрел, что происходит с каждым из членов правой части ( 3 - 12) при увеличении тока эмиттера. [38]
Следовательно, эта группа факторов способствует уменьшению тока базы IBf3n I Эрек - 7кво - Но одновременно уменьшение толщины базы вызывает некоторое увеличение тока эмиттера / э ( см. рис. 3 - 7, а), а вместе с ним и составляющей / Эрек. Этот фактор частично компенсирует уменьшение тока базы, поэтому в целом влияние 1 / кэ на базовую характеристику получается незначительным. [39]
Следовательно, эта группа факторов способствует уменьшению тока базы 1Ъ1 Эп 1 э к - КБО - Но одновременно уменьшение толщины базы вызывает некоторое увеличение тока эмиттера / э ( см. рис. 3 - 7, а), а вместе с ним и составляющей / Эрек. Этот фактор частично компенсирует уменьшение тока базы, поэтому в целом влияние 1 / кэ на базовую характеристику получается незначительным. [40]
Уменьшение усиления первого каскада УВЧ, выполненного на транзисторе VT1 ( ГТ328А), происходит за счет действия трех факторов: уменьшения коэффициента усиления транзистора при увеличении тока эмиттера ( что является особенностью этого типа транзисторов), дополнительного уменьшения коэффициента усиления транзистора при уменьшении напряжения на его коллекторе за счет увеличения падения напряжения на резисторе R9, включенном в коллекторную цепь; уменьшения входного сопротивления транзистора VT1 при увеличении тока эмиттера транзистора и этим самым большего шунтирования контура входной цепи. Перечисленные три фактора создают эффективную систему АРУ. [41]
Необходимо иметь в виду, что при больших сигналах на входе коэффициент усиления по току р нелинейно зависит от тока эмиттера, и его величина быстро снижается при увеличении тока эмиттера. [42]
 |
Схемы для снятия статических характеристик транзистора. [43] |
Следовательно, при неизменном напряжении на эмиттер-ном переходе, определяющем неизменную концентрацию неравновесных дырок на границе эмиттерного перехода с базой рпно, происходит увеличение градиента концентрации дырок в этом сечении, что и обусловливает увеличение тока эмиттера и веерообразное смещение эмиттерной характеристики влево. [44]
 |
Схемы для снятия статических характеристик транзистора. а - с общей базой. б - с общим эмиттером. [45] |
Страницы: 1 2 3 4