Увеличение - ток - эмиттер
Cтраница 4
Следовательно, при неизменном напряжении на эмиттер-ном переходе, определяющем неизменную концентрацию неравновесных дырок на границе эмиттерного перехода с базой р но, происходит увеличение градиента концентрации дырок в этом сечении, что и обусловливает увеличение тока эмиттера и веерообразное смещение эмиттерной характеристики влево. [46]
Уменьшение усиления первого каскада УВЧ, выполненного на транзисторе VT1 ( ГТ328А), происходит за счет действия трех факторов: уменьшения коэффициента усиления транзистора при увеличении тока эмиттера ( что является особенностью этого типа транзисторов), дополнительного уменьшения коэффициента усиления транзистора при уменьшении напряжения на его коллекторе за счет увеличения падения напряжения на резисторе R9, включенном в коллекторную цепь; уменьшения входного сопротивления транзистора VT1 при увеличении тока эмиттера транзистора и этим самым большего шунтирования контура входной цепи. Перечисленные три фактора создают эффективную систему АРУ. [47]
 |
Зависимость коэффициента усиления. [48] |
Из сказанного можно сделать вывод, что для переключения р-п-р-п структуры необходимо изменение тока, протекающего через эмиттеры составляющих транзисторов. Увеличение тока эмиттеров, требуемое для переключения р-п-р-п структуры в проводящее состояние, происходит за счет нарастания тока утечки коллекторного перехода при увеличении напряжения на структуре. [49]
С / кв и определяется только концентрацией неосновных носителей в базе и коллекторе. С увеличением тока эмиттера возрастает и ток / к - Поскольку в рассмотренной модели принята независимость величины а от тока / э, равные приращения тока / э ( / э - / о 1 э - / э) вызывают и равные приращения коллекторного тока. [50]
Страницы: 1 2 3 4