Уровень - инжекция
Cтраница 1
Уровень инжекции в эмиттере, как следует из ( 2 - 15), всегда значительно ниже, чем в базе. [1]
Уровень инжекции в эмиттере, как следует из ( 2 - 15), всегда значительно ниже, чем в базе. Поэтому в большинстве реальных случаев можно считать рр р 0 const для любых токов, тогда как концентрация пп с ростом токя может намного превысить равновесное значение пя0, если уровень инжекции в базе много больше единицы. [2]
Поэтому уровень инжекции в базе р2 сохраняется низким вплоть до больших значений прямого тока. Однако в слаболегированной базе п уже при малых токах может реализоваться средний и даже высокий уровень инжекции. Учет этого обстоятельства сильно усложняет расчет du / dt - стикостн тиристоров. Поэтому обычно полагают, что в базе п уровень инжекции либо низкий, либо высокий по всей эффективной толщине этой базы. [3]
Различие уровня инжекции электронов и дырок соответственно ври и-области перехода позволяет получить благоприятные условия работы транзистора при обеспечении высокой эффективности инжекции неосновных носителей в базу прибора. [4]
Что такое уровень инжекции и как он влияет на характер движения носителей тока через р-п переход. [5]
Рассмотрим влияние уровня инжекции на отдельные явления, определяющие коэффициенты передачи. [6]
Одновременно при повышении уровня инжекции начинает расти концентрация носителей в базе, что ведет к росту тока носителей, инжектированных из базы в эмиттер. [7]
При оценке влияния уровня инжекции было вычислено поле в толще л-области. [8]
 |
Диаграммы тока п напряжения диода при прохождении импульса. [9] |
При больших плотностях тока уровень инжекции дырок в базе на границе ОПЗ может быть высоким: Fp ( 0) / / г 01 - Время жизни дырок зависит от уровня инжекции и в зависимости от типа ловушек и степени легирования базы может как увеличиваться, так и уменьшаться с ростом уровня инжекции. Теоретический анализ и экспериментальные исследования показывают, что выражением ( 1.162 а) можно пользоваться и при произвольных уровнях инжекции с приемлемой для практики точностью, если использовать в качестве тр значение, соответствующее максимальному уровню инжекции дырок в базе на границе ОПЗ. [10]
Перейдем к оценке влияния уровня инжекции на величины Ро, YO и ао - При малых уровнях инжекции концентрация неравновесных носителей мала по сравнению с концентрацией основных равновесных носителей. В процессе инжекции в объем базы входят дырки ( рассматриваем триод типа р-п - р) и практически мгновенно, за время релаксации, входит такое же количество электронов. [11]
Следовательно, с ростом уровня инжекции тв уменьшается. Это происходит потому, что в результате разбаланса между концентрациями основных и инжектированных неосновных носителей в базе возникает дополнительное электрическое поле, которое уменьшает диффузию основных носителей и является ускоряющим для неосновных носителей. [12]
 |
Межзонные переходы в р - / г-перехо-де из вырожденных полупроводников при прямом смещении.| Конструкция лазера на р - - переходе и спектр его излучения. [13] |
При малых токах через р-л-переход уровень инжекции невелик, инверсии населенностей не будет и индуцированное излучение не возникает. С ростом тока а увеличивается и при некотором пороговом токе / пор выполнится условие генерации (2.16) и диод начнет излучать свет. Излучателем является узкая часть р-области, прилегающая к р - - переходу. [14]
Страницы: 1 2 3 4 5