Уровень - инжекция
Cтраница 2
По мере роста анодного тока уровень инжекции в слаболегированной базе п повышается. Коэффициент переноса дырок через эту базу увеличивается. [16]
 |
Распределение токов в базе длинного ( а и тонкого ( б вен-тилей при высоких уровнях инжекции. [17] |
Уменьшение сопротивления базы с увеличением уровня инжекции носит название эффекта модуляции сопротивления базы. Он существенно изменяет распределение токов в базе. [18]
Из выражения (1.82) видно, что уровень инжекции определяется плотностью тока 7 / S и зависит от отношения w / L. Остальные величины представляют собой электрофизические параметры вентиля. [19]
Как следует из этого выражения, уровень инжекции равен отношению приращения концентрации неосновных носителей, полученного в результате инжекции, к равновесной концентрации основных носителей заряда. Инжектированные неосновные носители создают у границ перехода объемные заряды, для компенсации которых из областей полупроводника к границам перехода притекают основные носители зарядов. В результате у границ перехода создаются избыточные концентрации не только неосновных, но и основных носителей зарядов: А. [20]
 |
Температурная зависимость прямой характеристики реального. [21] |
С ростом прямого тока и напряжения уровень инжекции повышается, растут избыточные концентрации дырок и компенсирующих электронов и процессы в базе существенно изменяются. [22]
Как следует из этого выражения, уровень инжекции равен отношению приращения концентрации неосновных носителей, полученного в результате инжекции, к равновесной концентрации основных носителей заряда. Инжектированные неосновные носители создают у границ перехода объемные заряды, для компенсации которых из областей полупроводника к границам перехода притекают основные носители зарядов. В результате у границ перехода создаются избыточные концентрации не только неосновных, но и основных носителей зарядов: А. [23]
Линейность может быть проверена путем изменения уровня инжекции при сохранении постоянства времени движения импульса. [24]
Из (4.44) видно, что повышение уровня инжекции приводит к ухудшению эффективности эмиттера, что естественно, поскольку при этом увеличивается концентрация дырок в базе и, следовательно, увеличивается плотность дырок, инжектируемых из базы в эмиттер. [25]
С увеличением напряжения на эмиттерном переходе возрастает уровень инжекции и вместе с этим величина тока коллектора. При этом токи / слпа и / сяэ не претерпевают заметных изменений. Этим, в основном, обусловлено уменьшение коэффициента усиления в статическом режиме при высоких уровнях инжекции и работе транзистора в нормальной активной области. [26]
 |
Общий вид зависимости коэффициента уси. [27] |
Следует оговориться, что по вопросу влияния уровня инжекции на величину потерь объемной рекомбинации мнения различных авторов расходятся. [28]
 |
Зависимость интегрального ( 1 и дифференциального ( 2 коэффициентов передачи тока базы от. [29] |
Типичные зависимости р и р в функции уровня инжекции и нормированной плотности тока эмиттера приведены на рис. 2.11. Рост р и р в области малых плотностей токов связан с возрастанием коэффициента переноса из-за увеличения электрического поля в базе, а спад в области больших плотностей токов - с падением коэффициента инжекции. Указанные зависимости рассчитывают ( или измеряют) при постоянном напряжении коллектор-эмиттер f / кэ и постоянной температуре. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5