Уровень - инжекция
Cтраница 3
Как известно, Dp возрастает с увеличением уровня инжекции. [31]
На рис. 1.33 приведена зависимость сопротивления базы от уровня инжекции и толщины базовой области. [32]
Так как падение напряжения на сопротивлении базы зависит от уровня инжекции, то скачок напряжения U6 становится ощутимым лишь при высоких плотностях прямого тока. [34]
При а b время жизни т возрастает с ростом уровня инжекции неравновесных носителей заряда, при а Ъ оно уменьшается. [35]
Нетрудно сделать вывод, что коэффициент переноса увеличивается с ростом уровня инжекции, а значит, и тока. Физически рост х связан с увеличением поля в базе, уменьшающего время пролета, а значит, и рекомбинационные потери электронов. [36]
Эффективное время жизни дырок в базе тр не зависит от уровня инжекции. Это утверждение не является вполне очевидным. [37]
 |
Зависимость избыточной концентрации электронов от времени. [38] |
Предположим, что рекомбинация идет через один тип рекомбинационных центров и уровень инжекции невысокий. [39]
Предположим, что рекомбинация идет через один тип реком-бинационных центров и уровень инжекции невысокий. [40]
 |
Зависимость избыточной концентрации электронов от времени. [41] |
Предположим, что рекомбинация идет через один тип рекомбинационных центров и уровень инжекции невысокий. [42]
 |
Двойная инжекция. [43] |
В тех случаях, когда время жизни носителей существенно зависит от уровня инжекции их в пленку, зависимость / - V3 нарушается. При этом, если время жизни т уменьшается с ростом концентрации инжектированных носителей п, ток с напряжением меняется медленнее, чем - Vs ( кривая 2, рис. 10.8, б); если т увеличивается с ростом п, то 7 растет быстрее, чем Vs. [44]
Прохождение через полупроводниковый диод больших токов, как правило, сопровождается повышением уровня инжекции, по крайней мере в некоторых частях базы диода. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5