Уровень - инжекция
Cтраница 4
Кроме этого, нужно учитывать также и изменение эффективности эмиттера с ростом уровня инжекции. [46]
Прохождение через полупроводниковый диод больших токов, как правило, сопровождается повышением уровня инжекции, по крайней мере в некоторых частях базы диода. [47]
 |
Распределение концентра -. ции неосновных и основных носителей в базе диода при прямом его-включении. [48] |
Прохождение через полупроводниковый диод больших токов, как правило, сопровождается повышением уровня инжекции по крайней мере в некоторых областях диода. [49]
 |
Зависимости пробив - Рп - Рпо - & Рп С яо. [50] |
Прохождение через полупроводниковый диод больших токов, как правило, сопровождается повышением уровня инжекции, по крайней мере, в некоторых частях базы диода. [51]
Такие процессы, особенно заметные в кремниевых транзисторах, увеличиваются при снижении уровня инжекции. [52]
В [21] показано, что биполярная подвижность з компенсированных полупроводниках с ростом уровня инжекции может сначала уменьшаться до нуля, затем менять знак на противоположный и далее, проходя опять через нуль, возрастать. [53]
Можно видеть, что / 2 ( z) линейно возрастает с возрастанием уровня инжекции, что свидетельствует о возрастании объемных рекомбинационных потерь. Таким образом, потери на поверхностную рекомбинацию падают с ростом уровня инжекции. [54]
Влияние внутреннего поля при высоких уровнях инжекции удобно учитывать, вводя коэффициент г, характеризующий уровень инжекции. [55]
При решении уравнения переноса заряда (6.28) представляет собой нелинейное граничное условие, зависящее от уровня инжекции. [57]
Прямое напряжение на диоде в начальный период времени определяется падением напряжения на га-базе, когда уровень инжекции в га-базе еще низкий и приближенно равен / Fmpn n / S. Оно может быть достаточно большим при больших значениях прямого тока и намного превышает сумму падений напряжения на р - п и п - п переходах структуры. Затем падение напряжения на га-базе уменьшается вследствие модуляции проводимости га-базы. [58]
Здесь произведение в квадратных скобках можно считать эквивалентным коэффициентом диффузии, величина которого зависит от уровня инжекции. [59]
Величина падения напряжения на приконтактной области зависит от скорости рекомбинации дырок на антизапорном контакте и с увеличением уровня инжекции падает. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5