Изоляция - элемент
Cтраница 1
Изоляция элементов в таких МС осуществляется с помощью - - переходов. Амплитуда сигнала на входе, выходе и внутри БИС составляет 0 8 В, что позволяет понизить требования к воспроизводимости параметров компонентов и облегчает условия эксплуатации при воздействии помех. [1]
 |
Фрагмент схемы и ее реализация в виде полупроводниковой ИМС. [2] |
Изоляция элементов друг от друга осуществляется с помощью р-п переходов, смещенных в обратном направлении. Для этого к подложке р-типа прикладывается наиболее отрицательный потенциал. После создания слоя окисла на поверхности и нанесения соединений кристаллы полупроводника помещают в герметизированный корпус, имеющий выводы во внешнюю цепь. [3]
Изоляция элементов диэлектриком имеет несколько вариантов. [4]
Изоляция элементов друг от друга осуществляется с помощью р-п переходов, смещенных в обратном направлении. Для этого к подложке р-типа прикладывается наиболее отрицательный потенциал. После создания слоя окисла на поверхности и нанесения соединений кристаллы полупроводника помещают в герметизированный корпус, имеющий выводы во внешнюю цепь. [5]
Изоляция элементов сопротивлений и переключающего устройства реостатов РМВ выполнена на номинальное напряжение до 500 в. Цепи управления выполняются на номинальное напряжение 220 в постоянного тока. [6]
Изоляцию элементов с помощью воздушного зазора можно создать тремя методами: декаль-методом, методом балочных выводов и выращиванием слоев кремния на сапфировой или шпинелевой подложке. [7]
Изоляцию элементов и защиту поверхности приборов осуществляют с помощью диэлектрических пленок. [8]
Изоляцию высокотеплопроводных элементов ( мостиков тепла) в виде наклейки на стены и перегородки, а также подклейки к потолку ( фартуки) выполняют плитными материалами. Подклейку фартуков по потолку целесообразно выполнять из пено-пластов. Указанные материалы легкие по весу и позволяют обходиться без штукатурки фартука. Это исключает их отслаивание. [9]
Для изоляции элементов сопротивлений от корпуса реостата на элементы сопротивлений на выводах возле зажимов нанизываются фарфоровые бусы или надевается асбестовый чулок. Выгоревшие изоляционные плиты заменяют новыми. [10]
Для изоляции элементов ИМС диэлектриком используют слой SiO2 и Si3N4, ситалл, стекло, керамику, воздушный зазор. [11]
Метод изоляции элементов также существенно влияет на конструкцию микросхемы. В полупроводниковых интегральных микросхемах для изоляции элементов наиболее широко применяют последовательное соединение двух обратно смещенных р-п-перехо-дов. [12]
Проблема изоляции элементов ИМС легко решается, если использовать эпитаксиальные слои кремния, нанесенные на изолирующие подложки, например на подложки из лейкосапфира. [13]
 |
Испытательные напряжения обмоток и изоляционных деталей до укладки в машину. [14] |
Испытание изоляции элементов обмоток до укладки начинается с напряжения, не превышающего одной трети испытательного напряжения. Под полным испытательным напряжением изоляция выдерживается в течение 1 мин. После этого напряжение снижается до одной трети и отключается. [15]
Страницы: 1 2 3 4