Изоляция - элемент
Cтраница 3
Из-за малых паразитных емкостей, хорошей взаимной изоляции элементов и возможности использования высококачественных навесных активных элементов гибридно-пленочные ИС имеют лучшие частотные и импульсные свойства, чем схемы на обычных дискретных элементах. Благодаря этим особенностям гибридно-пленочная технология является перспективной для производства аналоговых ИС, отличающихся большим разнообразием функций. [31]
Выполнены по биполярной технологии с изоляцией элементов диэлектриком. Предназначены для применения в различной радиоэлектронной аппаратуре. [32]
 |
Расшивка жгута на плоскостном шаблоне. [33] |
Кроме этого, необходимо проверить сопротивление изоляции элементов по отношению к корпусу блока или прибора. [34]
Проводится испытание повышенным напряжением промышленной частоты изоляции элементов преобразовательного агрегата. [35]
Микросхемы выполнены по биполярной технологии с изоляцией элементов р - n переходом. [36]
Собранные в кассетах детали подаются под головку изоляции элементов полихлорвиниловой пленкой. Полихлорвиниловая трубка подается в рулонах к узлу резки. [37]
Собранные в кассетах детали подаются под головку изоляции элементов поливинилхлоридной пленкой. Поливинилхлоридная трубка подается в рулонах к узлу резки. [38]
Подлежат также представлению протоколы: проверки сопротивления изоляции элементов осветительной установки; предпусковых испытаний взрывозащищенного электрооборудования, предусмотренных инструкциями заводов-изготовителей; испытаний давлением плотности трубопроводов электропроводок либо разделительных уплотнений ( при локальных испытаниях); проверки полного сопротивления петли фаза-нуль и кратности тока короткого замыкания в наиболее удаленных точках сети. [39]
Использование эпитак-сиальной технологии существенно упрощает также технологию изоляции элементов интегральной микросхемы. Характерная особенность эпитаксии - возможность получения слоев с заданными электрофизическими свойствами и геометрическими размерами. [40]
Выполнены на биполярных и полевых транзисторах с изоляцией элементов диэлектриком. [41]
 |
Полупроводниковая интегральная логическая схема И-НЕ. [42] |
Кроме того, в полупроводниковых ИМС с изоляцией элементов р-п переходами возможно образование паразитных транзисторных структур, влияющих на работу активных элементов ИМС. На рис. 13 - 7 6 показана структура биполярного транзистора, учитывающая полупроводниковую область подложки, а на рис. 13 - 7, в приведена ее эквивалентная схема. На этой схеме основной транзистор Т показан сплошными линиями. Паразитные элементы показаны штриховыми линиями. [43]
 |
Полупроводниковая интегральная логическая схема И-НЕ. [44] |
Кроме того, в полупроводниковых ИМС с изоляцией элементов р-п переходами возможно образование паразитных транзисторных структур, влияющих на работу активных элементов ИМС. На рис. 13 - 7 6 показана структура биполярного транзистора, учитывающая полупроводниковую область подложки, а на рис. 13 - 7, в приведена ее эквивалентная схема. На этой схеме основной транзистор Т показан сплошными линиями. Паразитные элементы показаны штриховыми линиями. [45]
Страницы: 1 2 3 4