Cтраница 4
Одним из первых и наиболее широко распространенных методов изоляции элементов в ИМС с помощью диэлектрика является эпик-процесс, при котором для изоляции используется тонкий слой SiO2, Si3N4 или SiO2 - f Si3N4, а для подложки - поликремний. Первая операция заключается в локальном, травлении кремниевого монокристалла, затем поверхность кремния окисляют и получают изоляционный слой SiO2 толщиной около 1 мкм. На окисленную поверхность кремния наращивают эпитаксиальный поликристаллический кремний толщиной 300 - 500 мкм. [46]
Последовательность операций при изготовлении полупроводниковых микросхем определяется методами изоляции элементов. [47]
Одним из важнейших видов испытаний является проверка состояния изоляции элементов РУ. [48]
Выполнена по планарно-эпитаксиальной технологии на биполярных транзисторах с изоляцией элементов обратносмещенным р-п переходом. [49]
Выполнена по планарно-эпитаксиальной технологии на биполярных транзисторах с изоляцией элементов обратносмещенным р-п переходом и содержит 146 интегральных элементов. [50]
Выполнена по планарно-эпитаксиаль-ной технологии на биполярных транзисторах с изоляцией элементов р-п переходом. [51]
Изготовлены на кристалле кремния по планарно-эпитаксиальной технологии с окисной изоляцией элементов. [52]
Конкретное конструктивно-технологическое исполнение ИС во многом определяется как методами изоляции элементов, так и схемно-технологическими признаками. [53]
Элементы конденсаторов подвергают испытанию повышенным напряжением, проверяют сопротивление изоляции элемента в целом и измеряют угол диэлектрических потерь и емкость конденсатора. [54]