Изоляция - элемент
Cтраница 2
Предназначены для изоляции элементов электроконструкций, находящихся под напряжением до 500 в. Изделия из досок после механической обработки ( включая сверловку отверстий) просушиваются и затем пропитываются битумом или каменноугольным пеком. [16]
Применяется метод изоляции элементов интегральных схем путем заполнения изоляционным материалом промежутков между островками, полученных селективным травлением. Для этого к поверхности готовых приборов прикрепляют стеклянную поддерживающую пластинку. Путем избирательного травления уменьшают толщину п - слоя и создают изолированные островки с приборами. Пустые промежутки между островками заполняют керамическим связующим составом. [17]
Основным методом изоляции элементов современных биполярных микросхем является метод комбинированной изоляции, сочетающий изоляцию диэлектриком ( диоксидом кремния) и р-п переходом, смещенным в обратном направлении. Существует большое число конструктивно-технологических разновидностей биполярных микросхем с комбинированной изоляцией. Широкое распространение получили микросхемы, создаваемые по изопланарной технологии. [18]
Как осуществить изоляцию элементов полупроводниковой ИМС, учитывая, что они расположены в одном и том же кристалле полупроводника. [19]
В КМОП ИС изоляция полевых элементов достигается как путем смещения в обратном направлении р-и-переходов, образуемых подложкой с областями ТЭ ( рис. 4.42 а), так и с помощью диэлектрика, в частности воздуха ( рис. 4.42 б), когда ИС изготовляется по упоминавшейся ранее технологии КНС. [20]
Фарфор применяют для изоляции элементов сопротивлений, подноски аппаратов под вагоном или установки их на крыше. Достоинством фарфора является высокая иагревостойкость и возвожность получения глазурованной поверхности, которую легко очищать от грязи. [21]
Обязательно проверяют сопротивление изоляции элемента конденсатора. Эту проверку производят мегомметром 2 500 в в течение 1 мин. Если испытание повышенным напряжением производят, то желательно проверить изоляцию мегомметром дважды: до испытания повышенным напряжением и после испытания. Величина сопротивления изоляции не нормируется. [22]
Проверку электрического сопротивления изоляции силовых моточных элементов между обмотками и между обмотками и корпусом, а также токоведущими - цепями выпрямительного устройства и корпусом производят мегометром постоянного тока напряжением 500 В. Сопротивление изоляции силовых моточных элементов между обмотками и между обмотками и ( корпусом не должно быть менее 50 МОм, а сопротивление изоляции между токоведущими цепями выпрямительного устройства и корпусом не менее 3 МОм при температуре 25 10 С. [23]
Какими методами производят изоляцию элементов интегральных микросхем. [24]
Для нанесения покрытий поверх изоляции элементов радиотехнической аппаратуры находит применение разработанный в ГИПИ-4 покровный лак ЭП-96 на основе эпоксидной смолы Э-40, модифицированной адипиновой кислотой и крезолформальдегид-ной смолой, а также пигментированная электроизоляционная эмаль ЭП-91, изготовляемая на основе этого лака. Покрытия указанных марок отличаются высокой адгезией, твердостью и влагостойкостью. [25]
В качестве грубого контроля изоляции элементов в составных изоляционных конструкциях может быть использовано не измерение распределения напряжения по элементам конструкции, а проверка наличия напряжения на каждом элементе. Если напряжение на элементе не обнаруживается, то это показывает, что изоляция данного элемента практически вышла из строя. [26]
 |
Гидрогеологический профиль. Черногорская моноклиналь - северный борт Терско-Кумской впадины ( с сокращением. [27] |
Представления о высокой степени изоляции элементов и блоков разреза с проявлением АПД позволяют сформулировать один исключительно важный вывод, который фактически уже сделан И. Г. Кисейным [25] на примере Восточного Предкавказья: участки и зоны с наличием аномально высоких пластовых давлений ( АВПД) являются гидродинамически изолированными и не оказывают видимого влияния на современное распределение пьезометрических напоров в бассейне. [28]
В планарио-эпитаксиальных интегральных микросхемах возможна изоляция элементов с помощью диэлектрического ( материала, как это показано на рис: 3.26. В данном случае, в - качестве диэлектрического материала наиболее часто лоюльэуют. Подложкой при этом служит поли-кристаллический кремний, сапфир или керамика. [29]
Монолитные полупроводниковые ИС по способу изоляции элементов друг от друга можно разделить на схемы с изолирующими р-п-пе-реходами и схемы с диэлектрической изоляцией. В схемах первого вида элементы отделены друг от друга р - n - переходами, к которым приложено обратное напряжение. В схемах второго вида элементы друг от друга и остальных элементов отделены слоями диэлектрика. Для сокращения числа изолирующих слоев часто выделяют группу элементов, взаимная изоляция которых играет маловажную роль. Внутри группы эти элементы отделены друг от друга обратносмещенными р-л-пере-ходами. Вся группа в целом изолирована от остальной части слоем диэлектрика. [30]
Страницы: 1 2 3 4